SiC-लेपित ग्रहीय संग्राहक

सेमीकोरेक्स SiC-लेपित ग्रहीय रिसेप्टर्स ऐक्सट्रॉन G2 उपकरण में सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल विकास के लिए डिज़ाइन किए गए अपरिहार्य सहायक घटक हैं, जिसमें वे वेफर्स को सुरक्षित रूप से समर्थन देने और ग्रहीय गति के तरीके से घूमने में सक्षम हैं। इस तरह, वेफर सतह पर सटीक थर्मल एकरूपता और समान गैस वितरण सफलतापूर्वक प्राप्त किया जा सकता है, जिसके परिणामस्वरूप वेफर्स पर प्रीमियम-गुणवत्ता वाली एपिटैक्सियल परत का जमाव होता है।

सेमीकोरेक्स SiC-लेपित ग्रहीय रिसेप्टर्स के लाभ

1. मल्टी-वेफर पॉकेट डिज़ाइन

सेमीकोरेक्स SiC-लेपितग्रह संग्राहकसटीक रूप से नियंत्रित आयामों के साथ कई वेफर पॉकेट्स का एक समान वितरण सुविधा प्रदान करता है। ये वेफर पॉकेट एपिटैक्सियल विकास प्रक्रिया के दौरान वेफर सब्सट्रेट्स को मजबूती से पकड़ने में सक्षम हैं, जो वेफर सब्सट्रेट्स के अवांछित आंदोलन के कारण होने वाली एपिटैक्सियल प्रक्रिया विविधताओं को प्रभावी ढंग से कम कर सकते हैं। इसके अलावा, यह मल्टी-वेफर पॉकेट डिज़ाइन कई वेफर सब्सट्रेट्स को एक ही प्रक्रिया में एक साथ एपिटैक्सियल जमाव से गुजरने की अनुमति देता है, जिससे एपिटैक्सियल विकास प्रक्रिया की समग्र दक्षता में काफी सुधार होता है।

2. अनुकूलित गैस प्रवाह छेद व्यवस्था

सेमीकोरेक्स में गैस प्रवाह चैनलों का सावधानीपूर्वक इंजीनियर किया गया सेट शामिल हैSiC-कोटेडग्रहों के रिसेप्टर्स, जो एपिटैक्सियल प्रक्रिया के दौरान वेफर सतह पर गैस प्रवाह की गतिशीलता और थर्मल एकरूपता के अनुकूलन को परिष्कृत करते हैं। यह विचारशील डिज़ाइन प्रतिक्रिया कक्ष के अंदर गैस प्रवाह दर और वितरण पर सटीक नियंत्रण सक्षम बनाता है, जो उच्च गुणवत्ता वाली पतली फिल्म, समान परत मोटाई और विश्वसनीय समग्र डिवाइस प्रदर्शन प्राप्त करने के लिए आवश्यक है।

3. अति उच्च सफाई

सेमीकोरेक्स SiC-लेपित ग्रहीय रिसेप्टर्स अल्ट्रा-हाई-शुद्धता सामग्री और बेहद कम अशुद्धता स्तर के साथ निर्मित होते हैं, जो सेमीकंडक्टर निर्माण की सख्त सफाई आवश्यकताओं को पूरी तरह से पूरा करते हैं। वे एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं की विशिष्ट उच्च तापमान और संक्षारक स्थितियों के तहत भी, धातु आउटगैसिंग के कारण होने वाले वेफर संदूषण को प्रभावी ढंग से कम करते हैं।

4. लंबे समय तक चलने वाली सेवा जीवन

सेमीकोरेक्स का गुणवत्ता नियंत्रण कच्चे माल के हमारे कठोर चयन से शुरू होता है। SiC-लेपित ग्रहीय रिसेप्टर्स सेमीकंडक्टर-ग्रेड ग्रेफाइट और सिलिकॉन कार्बाइड से सटीक रूप से निर्मित होते हैं, जो उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध और संक्षारण प्रतिरोध प्रदान करते हैं, जिससे वे चुनौतीपूर्ण उच्च तापमान, अत्यधिक संक्षारक एपिटैक्सियल ऑपरेटिंग स्थितियों का पूरी तरह से सामना करते हैं। इन उत्कृष्ट भौतिक गुणों के साथ, सेमीकोरेक्स SiC-लेपित ग्रहीय रिसेप्टर्स अपने निरंतर प्रदर्शन और संरचनात्मक अखंडता को बनाए रख सकते हैं और उच्च तापमान और उच्च-संक्षारण प्रतिक्रिया कक्षों में उनकी सतह की क्षति और प्रदर्शन में गिरावट से बच सकते हैं, जिससे SiC-लेपित ग्रहीय रिसेप्टर्स की सेवा जीवन में काफी वृद्धि होती है।