SiC-लेपित ICP घटक

सेमीकोरेक्स का SiC-लेपित ICP घटक विशेष रूप से एपिटेक्सी और MOCVD जैसी उच्च तापमान वाली वेफर हैंडलिंग प्रक्रियाओं के लिए डिज़ाइन किया गया है। बढ़िया SiC क्रिस्टल कोटिंग के साथ, हमारे वाहक बेहतर गर्मी प्रतिरोध, यहां तक कि थर्मल एकरूपता और टिकाऊ रासायनिक प्रतिरोध प्रदान करते हैं।

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उत्पाद वर्णन

सेमीकोरेक्स का SiC-लेपित ICP घटक वेफर हैंडलिंग प्रक्रियाओं के लिए शीर्ष विकल्प है जिसके लिए उच्च तापमान और रासायनिक प्रतिरोध की आवश्यकता होती है। हमारे वाहक समान थर्मल प्रोफाइल, लेमिनर गैस प्रवाह पैटर्न प्रदान करते हैं, और हमारे बढ़िया SiC क्रिस्टल की बदौलत संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकते हैं। बढ़िया SiC क्रिस्टल कोटिंग के साथ, हमारे वाहक बेहतर गर्मी प्रतिरोध, यहां तक कि थर्मल एकरूपता और टिकाऊ रासायनिक प्रतिरोध प्रदान करते हैं।
सेमीकोरेक्स में, हम अपने ग्राहकों को उच्च-गुणवत्ता, लागत प्रभावी उत्पाद प्रदान करने पर ध्यान केंद्रित करते हैं। हमारे SiC-लेपित ICP घटक का मूल्य लाभ है और इसे कई यूरोपीय और अमेरिकी बाजारों में निर्यात किया जाता है। हमारा लक्ष्य लगातार गुणवत्ता वाले उत्पाद और असाधारण ग्राहक सेवा प्रदान करते हुए आपका दीर्घकालिक भागीदार बनना है।
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SiC-लेपित ICP घटक के पैरामीटर

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ
SiC-सीवीडी गुण
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण
घनत्व	जी/सेमी ³	3.21
कठोरता	विकर्स कठोरता	2500
अनाज आकार	माइक्रोन	2~10
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
ताप की गुंजाइश	जे किग्रा-1 के-1	640
ऊर्ध्वपातन तापमान	℃	2700
फेलेक्सुरल ताकत	एमपीए (आरटी 4-पॉइंट)	415
यंग का मापांक	जीपीए (4पीटी बेंड, 1300℃)	430
थर्मल विस्तार (सी.टी.ई.)	10-6K -1	4.5
ऊष्मीय चालकता	(डब्ल्यू/एमके)	300