प्रेरक-युग्मित प्लाज्मा (आईसीपी)

इंडक्टिवली-कपल्ड प्लाज़्मा (आईसीपी) के लिए सेमीकोरेक्स का सिलिकॉन कार्बाइड लेपित रिसेप्टर विशेष रूप से एपिटेक्सी और एमओसीवीडी जैसी उच्च तापमान वाली वेफर हैंडलिंग प्रक्रियाओं के लिए डिज़ाइन किया गया है। 1600 डिग्री सेल्सियस तक के स्थिर, उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध के साथ, हमारे वाहक समान थर्मल प्रोफाइल, लैमिनर गैस प्रवाह पैटर्न सुनिश्चित करते हैं, और संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकते हैं।

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उत्पाद वर्णन

एक वेफर वाहक की आवश्यकता है जो उच्च तापमान, कठोर रासायनिक वातावरण को संभाल सके? इंडक्टिवली-कपल्ड प्लाज़्मा (आईसीपी) के लिए सेमीकोरेक्स के सिलिकॉन कार्बाइड लेपित सेसेप्टर के अलावा और कुछ न देखें। हमारे वाहकों में एक बढ़िया SiC क्रिस्टल कोटिंग है जो बेहतर गर्मी प्रतिरोध, यहां तक कि थर्मल एकरूपता और टिकाऊ रासायनिक प्रतिरोध प्रदान करती है।
इंडक्टिवली-कपल्ड प्लाज़्मा (ICP) के लिए हमारे SiC ससेप्टर के बारे में अधिक जानने के लिए आज ही हमसे संपर्क करें।

प्रेरक-युग्मित प्लाज्मा (आईसीपी) के लिए रिसेप्टर के पैरामीटर

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ
SiC-CVD गुण
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण
घनत्व	जी/सेमी ³	3.21
कठोरता	विकर्स कठोरता	2500
अनाज आकार	माइक्रोन	2~10
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
ताप की गुंजाइश	जे किग्रा-1 के-1	640
उर्ध्वपातन तापमान	℃	2700
फेलेक्सुरल ताकत	एमपीए (आरटी 4-पॉइंट)	415
यंग का मापांक	जीपीए (4पीटी बेंड, 1300℃)	430
थर्मल विस्तार (सी.टी.ई.)	10-6K -1	4.5
ऊष्मीय चालकता	(डब्ल्यू/एमके)	300