सेमीकोरेक्स की आईसीपी प्लाज्मा एचिंग प्लेट वेफर हैंडलिंग और पतली फिल्म जमाव प्रक्रियाओं के लिए बेहतर गर्मी और संक्षारण प्रतिरोध प्रदान करती है। हमारे उत्पाद को उच्च तापमान और कठोर रासायनिक सफाई का सामना करने के लिए इंजीनियर किया गया है, जो स्थायित्व और दीर्घायु सुनिश्चित करता है। साफ और चिकनी सतह के साथ, हमारा कैरियर प्राचीन वेफर्स को संभालने के लिए बिल्कुल उपयुक्त है।
जब पतली फिल्म जमाव और वेफर हैंडलिंग की बात आती है, तो सेमीकोरेक्स की आईसीपी प्लाज्मा एचिंग प्लेट पर भरोसा करें। हमारा उत्पाद बेहतर गर्मी और संक्षारण प्रतिरोध, यहां तक कि थर्मल एकरूपता और इष्टतम लैमिनर गैस प्रवाह पैटर्न प्रदान करता है। साफ और चिकनी सतह के साथ, हमारा कैरियर प्राचीन वेफर्स को संभालने के लिए बिल्कुल उपयुक्त है।
हमारी आईसीपी प्लाज़्मा नक़्क़ाशी प्लेट को सर्वोत्तम लेमिनर गैस प्रवाह पैटर्न प्राप्त करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो थर्मल प्रोफ़ाइल की समरूपता सुनिश्चित करता है। यह किसी भी संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकने में मदद करता है, जिससे वेफर चिप पर उच्च गुणवत्ता वाले एपिटैक्सियल विकास सुनिश्चित होता है।
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आईसीपी प्लाज्मा नक़्क़ाशी प्लेट के पैरामीटर
सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ |
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SiC-सीवीडी गुण |
||
क्रिस्टल की संरचना |
एफसीसी β चरण |
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घनत्व |
जी/सेमी ³ |
3.21 |
कठोरता |
विकर्स कठोरता |
2500 |
अनाज आकार |
माइक्रोन |
2~10 |
रासायनिक शुद्धता |
% |
99.99995 |
ताप की गुंजाइश |
जे किग्रा-1 के-1 |
640 |
ऊर्ध्वपातन तापमान |
℃ |
2700 |
फेलेक्सुरल ताकत |
एमपीए (आरटी 4-पॉइंट) |
415 |
यंग का मापांक |
जीपीए (4पीटी बेंड, 1300℃) |
430 |
थर्मल विस्तार (सी.टी.ई.) |
10-6K -1 |
4.5 |
ऊष्मीय चालकता |
(डब्ल्यू/एमके) |
300 |
आईसीपी प्लाज्मा एचिंग प्लेट की विशेषताएं
- छीलने से बचें और पूरी सतह पर कोटिंग सुनिश्चित करें
उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस तक उच्च तापमान पर स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के तहत सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा बनाई गई।
संक्षारण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, घनी सतह और महीन कण।
संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।
- सर्वोत्तम लेमिनर गैस प्रवाह पैटर्न प्राप्त करें
- थर्मल प्रोफाइल की समरूपता की गारंटी
- किसी भी संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकें