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उद्योग समाचार

इन्फिनियन ने दुनिया का पहला 300 मिमी पावर GaN वेफर का अनावरण किया

हाल ही में, Infineon Technologies ने दुनिया की पहली 300 मिमी पावर गैलियम नाइट्राइड (GaN) वेफर तकनीक के सफल विकास की घोषणा की।

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मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन विनिर्माण

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन निर्माण में उपयोग की जाने वाली तीन प्राथमिक विधियाँ Czochralski (CZ) विधि, Kyropoulos विधि और फ्लोट ज़ोन (FZ) विधि हैं।

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सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण में ऑक्सीकरण

ऑक्सीकरण प्रक्रियाएं वेफर पर एक सुरक्षात्मक परत बनाकर ऐसी समस्याओं को रोकने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाती हैं, जिसे ऑक्साइड परत के रूप में जाना जाता है, जो विभिन्न रसायनों के बीच बाधा के रूप में कार्य करती है।

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सिलिकॉन नाइट्राइड क्या है?

सिलिकॉन नाइट्राइड (Si3N4) उन्नत उच्च तापमान संरचनात्मक सिरेमिक के विकास में एक महत्वपूर्ण सामग्री है।

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सिलिकॉन और सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स के बीच नक़्क़ाशी के अंतर को समझना

नक़्क़ाशी प्रक्रिया: सिलिकॉन बनाम सिलिकॉन कार्बाइड

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इलेक्ट्रोस्टैटिक चक (ईएससी) क्या है?

सेमीकंडक्टर निर्माण में, नक़्क़ाशी प्रक्रिया की सटीकता और स्थिरता सर्वोपरि है। उच्च गुणवत्ता वाली नक़्क़ाशी प्राप्त करने में एक महत्वपूर्ण कारक यह सुनिश्चित करना है कि प्रक्रिया के दौरान वेफर्स ट्रे पर पूरी तरह से सपाट हों।

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