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उद्योग समाचार

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन विनिर्माण

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन निर्माण में उपयोग की जाने वाली तीन प्राथमिक विधियाँ Czochralski (CZ) विधि, Kyropoulos विधि और फ्लोट ज़ोन (FZ) विधि हैं।

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सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण में ऑक्सीकरण

ऑक्सीकरण प्रक्रियाएं वेफर पर एक सुरक्षात्मक परत बनाकर ऐसी समस्याओं को रोकने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाती हैं, जिसे ऑक्साइड परत के रूप में जाना जाता है, जो विभिन्न रसायनों के बीच बाधा के रूप में कार्य करती है।

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सिलिकॉन नाइट्राइड क्या है?

सिलिकॉन नाइट्राइड (Si3N4) उन्नत उच्च तापमान संरचनात्मक सिरेमिक के विकास में एक महत्वपूर्ण सामग्री है।

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सिलिकॉन और सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स के बीच नक़्क़ाशी के अंतर को समझना

नक़्क़ाशी प्रक्रिया: सिलिकॉन बनाम सिलिकॉन कार्बाइड

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इलेक्ट्रोस्टैटिक चक (ईएससी) क्या है?

सेमीकंडक्टर निर्माण में, नक़्क़ाशी प्रक्रिया की सटीकता और स्थिरता सर्वोपरि है। उच्च गुणवत्ता वाली नक़्क़ाशी प्राप्त करने में एक महत्वपूर्ण कारक यह सुनिश्चित करना है कि प्रक्रिया के दौरान वेफर्स ट्रे पर पूरी तरह से सपाट हों।

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GaN और SiC: सह-अस्तित्व या प्रतिस्थापन?

उच्च ऊर्जा घनत्व और दक्षता के लिए दबाव डेटा सेंटर, नवीकरणीय ऊर्जा, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, इलेक्ट्रिक वाहन और स्वायत्त ड्राइविंग प्रौद्योगिकियों सहित कई उद्योगों में नवाचार का प्राथमिक चालक बन गया है। वाइड बैंडगैप (डब्ल्यूबीजी) सामग्रियों के क्षेत्र में, गैलियम नाइट्राइड (जीएएन) और सिलिकॉन कार्बाइड......

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