उच्च ऊर्जा घनत्व और दक्षता के लिए दबाव डेटा सेंटर, नवीकरणीय ऊर्जा, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, इलेक्ट्रिक वाहन और स्वायत्त ड्राइविंग प्रौद्योगिकियों सहित कई उद्योगों में नवाचार का प्राथमिक चालक बन गया है। वाइड बैंडगैप (डब्ल्यूबीजी) सामग्रियों के क्षेत्र में, गैलियम नाइट्राइड (जीएएन) और सिलिकॉन कार्बाइड......
और पढ़ेंएकल क्रिस्टल विकास के क्षेत्र में, क्रिस्टल विकास भट्ठी के भीतर तापमान वितरण एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। यह तापमान वितरण, जिसे आमतौर पर थर्मल क्षेत्र के रूप में जाना जाता है, एक महत्वपूर्ण कारक है जो उगाए जाने वाले क्रिस्टल की गुणवत्ता और विशेषताओं को प्रभावित करता है। तापीय क्षेत्र को दो प्रकार......
और पढ़ेंआइसोस्टैटिक ग्रेफाइट के निर्माण में आइसोस्टैटिक प्रेसिंग तकनीक एक महत्वपूर्ण प्रक्रिया है, जो काफी हद तक अंतिम उत्पाद के प्रदर्शन को निर्धारित करती है। इस प्रकार, आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट उत्पादन का व्यापक अनुसंधान और अनुकूलन उद्योग में आवश्यक केंद्र बिंदु बना हुआ है।
और पढ़ेंकार्बन-आधारित सामग्री जैसे ग्रेफाइट, कार्बन फाइबर और कार्बन/कार्बन (सी/सी) कंपोजिट अपनी उच्च विशिष्ट शक्ति, उच्च विशिष्ट मापांक और उत्कृष्ट तापीय गुणों के लिए जाने जाते हैं, जो उन्हें उच्च तापमान अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त बनाते हैं। . इन सामग्रियों का व्यापक रूप से एयरोस्पेस,......
और पढ़ेंगैलियम नाइट्राइड (GaN) अर्धचालक प्रौद्योगिकी में एक महत्वपूर्ण सामग्री है, जो अपने असाधारण इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टिकल गुणों के लिए जाना जाता है। वाइड-बैंडगैप सेमीकंडक्टर के रूप में GaN में लगभग 3.4 eV की बैंडगैप ऊर्जा होती है, जो इसे उच्च-शक्ति और उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती है।
और पढ़ेंसिलिकॉन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टल ग्रोथ भट्टियां SiC वेफर उत्पादन की आधारशिला हैं। पारंपरिक सिलिकॉन क्रिस्टल विकास भट्टियों के साथ समानताएं साझा करते हुए, SiC भट्टियों को सामग्री की अत्यधिक विकास स्थितियों और जटिल दोष गठन तंत्र के कारण अद्वितीय चुनौतियों का सामना करना पड़ता है। इन चुनौतियों को मोटे तौ......
और पढ़ें