सेमीकोरेक्स चीन में SiC कोटेड बैरल ससेप्टर का बड़े पैमाने पर निर्माता और आपूर्तिकर्ता है। हम सिलिकॉन कार्बाइड लेयर्स और एपिटेक्सी सेमीकंडक्टर जैसे सेमीकंडक्टर उद्योगों पर ध्यान केंद्रित करते हैं। हमारे उत्पादों की कीमत में अच्छी बढ़त है और ये कई यूरोपीय और अमेरिकी बाज़ारों को कवर करते हैं। हम आपके दीर्घकालिक भागीदार बनने की आशा रखते हैं।
सेमीकोरेक्सSiC लेपित बैरल सुसेप्टरएक उच्च शुद्धता वाला SiC लेपित ग्रेफाइट वाहक है, जो वेफर चिप पर एपिटैक्सियल परत को विकसित करने की प्रक्रिया में उपयोग करता है, जो कई एपिटैक्सियल रिएक्टरों के लिए उपयुक्त है। इसमें उच्च ताप और संक्षारण प्रतिरोध है, जो चरम वातावरण में बहुत स्थिर है।
हमाराSiC लेपितबैरल ससेप्टर उच्च तापमान ऑक्सीकरण और संक्षारण के प्रति भी प्रतिरोधी है, जो इसे एक विश्वसनीय और टिकाऊ उत्पाद बनाता है। इसका उच्च गलनांक यह सुनिश्चित करता है कि यह कुशल अर्धचालक निर्माण के लिए आवश्यक उच्च तापमान वाले वातावरण का सामना कर सकता है।
हमारे बारे में अधिक जानने के लिए आज ही हमसे संपर्क करेंSiC लेपितबैरल रिसीवर
के पैरामीटरSiC लेपितबैरल रिसीवर
सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ |
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SiC-CVD गुण |
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क्रिस्टल की संरचना |
एफसीसी β चरण |
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घनत्व |
जी/सेमी ³ |
3.21 |
कठोरता |
विकर्स कठोरता |
2500 |
अनाज आकार |
माइक्रोन |
2~10 |
रासायनिक शुद्धता |
% |
99.99995 |
ताप की गुंजाइश |
जे किग्रा-1 के-1 |
640 |
उर्ध्वपातन तापमान |
℃ |
2700 |
फेलेक्सुरल ताकत |
एमपीए (आरटी 4-पॉइंट) |
415 |
यंग का मापांक |
जीपीए (4पीटी बेंड, 1300℃) |
430 |
थर्मल विस्तार (सी.टी.ई.) |
10-6K -1 |
4.5 |
ऊष्मीय चालकता |
(डब्ल्यू/एमके) |
300 |
की विशेषताएंSiC लेपितबैरल रिसीवर
- छीलने से बचें और पूरी सतह पर कोटिंग सुनिश्चित करें
उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस तक उच्च तापमान पर स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के तहत सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा बनाई गई।
संक्षारण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, घनी सतह और महीन कण।
संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।
- सर्वोत्तम लेमिनर गैस प्रवाह पैटर्न प्राप्त करें
- थर्मल प्रोफाइल की समरूपता की गारंटी
- किसी भी संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकें