एपिटेक्सियल ग्रोथ के लिए SiC कोटेड बैरल ससेप्टर

एपिटैक्सियल ग्रोथ के लिए सेमीकोरेक्स SiC कोटेड बैरल ससेप्टर सेमीकंडक्टर वेफर्स पर एपिक्सियल परत के गठन के लिए सही विकल्प है, इसकी उत्कृष्ट तापीय चालकता और गर्मी वितरण गुणों के लिए धन्यवाद। इसकी सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग सबसे अधिक मांग वाले उच्च तापमान और संक्षारक वातावरण में भी बेहतर सुरक्षा प्रदान करती है।

सेमीकोरेक्स में, हम अपने ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता, लागत प्रभावी उत्पाद प्रदान करने पर ध्यान केंद्रित करते हैं। एपिटैक्सियल ग्रोथ के लिए हमारे SiC कोटेड बैरल ससेप्टर का मूल्य लाभ है और इसे कई यूरोपीय और अमेरिकी बाजारों में निर्यात किया जाता है। हम आपका दीर्घकालिक भागीदार बनना चाहते हैं, लगातार गुणवत्ता वाले उत्पाद और असाधारण ग्राहक सेवा प्रदान करते हैं।

एपिटैक्सियल ग्रोथ के लिए SiC कोटेड बैरल ससेप्टर के पैरामीटर

एपिटेक्सियल ग्रोथ के लिए SiC कोटेड बैरल ससेप्टर की विशेषताएं

- ग्रेफाइट सब्सट्रेट और सिलिकॉन कार्बाइड परत दोनों में अच्छा घनत्व है और उच्च तापमान और संक्षारक कार्य वातावरण में एक अच्छी सुरक्षात्मक भूमिका निभा सकता है।

- सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ के लिए उपयोग किए जाने वाले सिलिकॉन कार्बाइड कोटेड ससेप्टर में सतह की समतलता बहुत अधिक होती है।

- ग्रेफाइट सब्सट्रेट और सिलिकॉन कार्बाइड परत के बीच थर्मल विस्तार गुणांक में अंतर को कम करें, क्रैकिंग और प्रदूषण को रोकने के लिए प्रभावी रूप से बंधन शक्ति में सुधार करें।

- दोनों ग्रेफाइट सब्सट्रेट और सिलिकॉन कार्बाइड परत में उच्च तापीय चालकता और उत्कृष्ट गर्मी वितरण गुण होते हैं।

- उच्च गलनांक, उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध।