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उद्योग समाचार
सेमीकंडक्टर उद्योग में SiC सबस्ट्रेट्स और क्रिस्टल ग्रोथ की महत्वपूर्ण भूमिका
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) उद्योग श्रृंखला के भीतर, सब्सट्रेट आपूर्तिकर्ता महत्वपूर्ण लाभ उठाते हैं, मुख्य रूप से मूल्य वितरण के कारण। SiC सबस्ट्रेट्स कुल मूल्य का 47% है, इसके बाद एपिटैक्सियल परतें 23% हैं, जबकि डिवाइस डिज़ाइन और विनिर्माण शेष 30% है। यह उलटी मूल्य श्रृंखला सब्सट्रेट और एपिटैक्सियल परत......
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इलेक्ट्रिक वाहनों में SiC और GaN का अनुप्रयोग
SiC MOSFETs ट्रांजिस्टर हैं जो उच्च शक्ति घनत्व, बेहतर दक्षता और उच्च तापमान पर कम विफलता दर प्रदान करते हैं। SiC MOSFETs के ये फायदे इलेक्ट्रिक वाहनों (ईवी) को कई लाभ पहुंचाते हैं, जिनमें लंबी ड्राइविंग रेंज, तेज चार्जिंग और संभावित रूप से कम लागत वाली बैटरी इलेक्ट्रिक वाहन (बीईवी) शामिल हैं। पिछले......
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चौथी पीढ़ी के अर्धचालक गैलियम ऑक्साइड/β-Ga2O3
अर्धचालक सामग्रियों की पहली पीढ़ी मुख्य रूप से सिलिकॉन (Si) और जर्मेनियम (Ge) द्वारा दर्शायी जाती है, जो 1950 के दशक में बढ़ना शुरू हुई। शुरुआती दिनों में जर्मेनियम प्रमुख था और इसका उपयोग मुख्य रूप से कम-वोल्टेज, कम-आवृत्ति, मध्यम-शक्ति ट्रांजिस्टर और फोटोडिटेक्टरों में किया जाता था, लेकिन इसके खरा......
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दोष-मुक्त एपिटैक्सियल ग्रोथ और मिसफिट डिस्लोकेशन
दोष-मुक्त एपिटैक्सियल वृद्धि तब होती है जब एक क्रिस्टल जाली में दूसरे के लिए लगभग समान जाली स्थिरांक होते हैं। विकास तब होता है जब इंटरफ़ेस क्षेत्र में दो जाली की जाली साइटें लगभग मेल खाती हैं, जो एक छोटे जाली बेमेल (0.1% से कम) के साथ संभव है। यह अनुमानित मिलान इंटरफ़ेस पर लोचदार तनाव के साथ भी प्र......
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