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SiC एपिटैक्सी

एपिटैक्सी दो प्रकार की होती है: सजातीय और विषमांगी। विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए विशिष्ट प्रतिरोध और अन्य मापदंडों के साथ SiC उपकरणों का उत्पादन करने के लिए, उत्पादन शुरू होने से पहले सब्सट्रेट को एपिटेक्सी की शर्तों को पूरा करना होगा। एपिटेक्सी की गुणवत्ता डिवाइस के प्रदर्शन को प्रभावित करती है।

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सूखी नक़्क़ाशी बनाम गीली नक़्क़ाशी

In semiconductor fabrication, etching is one of the major steps, along with photolithography and thin-film deposition. It involves removing unwanted materials from the surface of a wafer using chemical or physical methods. This step is carried out after coating, photolithography, and developing. It ......

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SiC क्रिस्टल में अव्यवस्था

SiC सब्सट्रेट में सूक्ष्म दोष हो सकते हैं, जैसे थ्रेडिंग स्क्रू डिस्लोकेशन (TSD), थ्रेडिंग एज डिस्लोकेशन (TED), बेस प्लेन डिस्लोकेशन (BPD), और अन्य। ये दोष परमाणु स्तर पर परमाणुओं की व्यवस्था में विचलन के कारण होते हैं।

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SiC क्रिस्टल में दोषों के बारे में - माइक्रोपाइप

SiC सब्सट्रेट में सूक्ष्म दोष हो सकते हैं, जैसे थ्रेडिंग स्क्रू डिस्लोकेशन (TSD), थ्रेडिंग एज डिस्लोकेशन (TED), बेस प्लेन डिस्लोकेशन (BPD), और अन्य। ये दोष परमाणु स्तर पर परमाणुओं की व्यवस्था में विचलन के कारण होते हैं। SiC क्रिस्टल में मैक्रोस्कोपिक अव्यवस्थाएं भी हो सकती हैं, जैसे Si या C समावेशन,......

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तरल चरण एपिटैक्सी विधि क्यों चुनें?

पीवीटी विधि की तुलना में, SiC को बढ़ाने के लिए तरल चरण विधि के निम्नलिखित फायदे हैं:

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तरल चरण एपिटैक्सी क्या है?

तरल चरण विधि थर्मोडायनामिक संतुलन स्थितियों के करीब है और बेहतर गुणवत्ता के साथ SiC क्रिस्टल विकसित करने में सक्षम है।

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