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उद्योग समाचार
तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर्स का परिचय: GaN और संबंधित एपिटैक्सियल टेक्नोलॉजीज
नीली एलईडी के लिए भौतिकी में 2014 के नोबेल पुरस्कार से सम्मानित होने के बाद GaN सामग्रियों को प्रमुखता मिली। प्रारंभ में उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स में फास्ट-चार्जिंग अनुप्रयोगों के माध्यम से लोगों की नज़र में आने वाले, GaN-आधारित पावर एम्पलीफायर और आरएफ डिवाइस भी चुपचाप 5G बेस स्टेशनों में महत्वपूर्ण ......
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सब्सट्रेट बनाम एपिटैक्सी: सेमीकंडक्टर निर्माण में मुख्य भूमिकाएँ
सेमीकंडक्टर प्रौद्योगिकी और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स के क्षेत्र में, सब्सट्रेट्स और एपिटेक्सी की अवधारणाएं महत्वपूर्ण महत्व रखती हैं। वे अर्धचालक उपकरणों की निर्माण प्रक्रिया में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। यह लेख सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट्स और एपिटेक्सी के बीच अंतर को उजागर करेगा, उनकी परिभाषाओं, कार्यो......
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सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सबस्ट्रेट्स के मुख्य पैरामीटर
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) उत्पादन प्रक्रिया में सामग्री पक्ष से सब्सट्रेट और एपिटेक्सी की तैयारी शामिल है, इसके बाद चिप डिजाइन और विनिर्माण, डिवाइस पैकेजिंग और अंत में, डाउनस्ट्रीम एप्लिकेशन बाजारों में वितरण शामिल है। इन चरणों में, सब्सट्रेट सामग्री प्रसंस्करण SiC उद्योग का सबसे चुनौतीपूर्ण पहलू है। S......
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सिलिकॉन कार्बाइड अनुप्रयोग
उभरते उद्योगों और पारंपरिक उद्योगों में सिलिकॉन कार्बाइड के बड़ी संख्या में अनुप्रयोग हैं। वर्तमान में, वैश्विक सेमीकंडक्टर बाजार 100 बिलियन युआन से अधिक हो गया है। उम्मीद है कि 2025 तक सेमीकंडक्टर निर्माण सामग्री की वैश्विक बिक्री 39.5 बिलियन अमेरिकी डॉलर तक पहुंच जाएगी, जिसमें से सिलिकॉन कार्बाइड ......
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सिलिकॉन कार्बाइड आयन प्रत्यारोपण और एनीलिंग प्रक्रिया का परिचय
पारंपरिक सिलिकॉन पावर डिवाइस निर्माण में, उच्च तापमान प्रसार और आयन प्रत्यारोपण डोपेंट नियंत्रण के लिए प्राथमिक तरीकों के रूप में खड़े हैं, प्रत्येक के अपने फायदे और नुकसान हैं। आमतौर पर, उच्च तापमान प्रसार की विशेषता इसकी सादगी, लागत-प्रभावशीलता, आइसोट्रोपिक डोपेंट वितरण प्रोफाइल और जाली क्षति का क......
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