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उद्योग समाचार
3C-SiC की हेटेरोएपिटैक्सी: एक सिंहावलोकन
सिलिकॉन कार्बाइड का एक महत्वपूर्ण पॉलीटाइप 3C-SiC का विकास, सेमीकंडक्टर सामग्री विज्ञान की निरंतर प्रगति को दर्शाता है। 1980 के दशक में, निशिनो एट अल। पहली बार रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) [1] का उपयोग करके सिलिकॉन सब्सट्रेट पर 4 माइक्रोमीटर मोटी 3C-SiC फिल्म हासिल की, जिसने 3C-SiC पतली-फिल्म तकनीक ......
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मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन बनाम पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन
सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन और पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन प्रत्येक के अपने अनूठे फायदे और लागू परिदृश्य हैं। सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन अपने उत्कृष्ट विद्युत और यांत्रिक गुणों के कारण उच्च प्रदर्शन वाले इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक के लिए उपयुक्त है। दूसरी ओर, पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन अपनी कम लाग......
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सब्सट्रेट और एपिटैक्सी
वेफर तैयारी की प्रक्रिया में, दो मुख्य लिंक हैं: एक सब्सट्रेट की तैयारी है, और दूसरा एपिटैक्सियल प्रक्रिया का कार्यान्वयन है। सब्सट्रेट, सेमीकंडक्टर सिंगल क्रिस्टल सामग्री से सावधानी से बना एक वेफर, सेमीकंडक्टर उपकरणों के उत्पादन के आधार के रूप में सीधे वेफर निर्माण प्रक्रिया में डाला जा सकता है, या......
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सिलिकॉन वेफर
सिलिकॉन सामग्री कुछ अर्धचालक विद्युत गुणों और भौतिक स्थिरता के साथ एक ठोस सामग्री है, और बाद की एकीकृत सर्किट निर्माण प्रक्रिया के लिए सब्सट्रेट समर्थन प्रदान करती है। यह सिलिकॉन-आधारित एकीकृत सर्किट के लिए एक महत्वपूर्ण सामग्री है। दुनिया में 95% से अधिक अर्धचालक उपकरण और 90% से अधिक एकीकृत सर्किट ......
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