आईसीपी प्लाज्मा नक़्क़ाशी ट्रे

सेमीकोरेक्स की आईसीपी प्लाज़्मा एचिंग ट्रे को विशेष रूप से एपिटेक्सी और एमओसीवीडी जैसी उच्च तापमान वाली वेफर हैंडलिंग प्रक्रियाओं के लिए इंजीनियर किया गया है। 1600 डिग्री सेल्सियस तक के स्थिर, उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध के साथ, हमारे वाहक समान थर्मल प्रोफाइल, लेमिनर गैस प्रवाह पैटर्न प्रदान करते हैं, और संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकते हैं।

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उत्पाद वर्णन

हमारी आईसीपी प्लाज्मा नक़्क़ाशी ट्रे सीवीडी विधि का उपयोग करके सिलिकॉन कार्बाइड लेपित है, जो वेफर हैंडलिंग प्रक्रियाओं के लिए आदर्श समाधान है जिसके लिए उच्च तापमान और कठोर रासायनिक सफाई की आवश्यकता होती है। सेमीकोरेक्स के कैरियर में एक बढ़िया SiC क्रिस्टल कोटिंग होती है जो समान थर्मल प्रोफाइल, लेमिनर गैस प्रवाह पैटर्न प्रदान करती है, और संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकती है।
सेमीकोरेक्स में, हम अपने ग्राहकों को उच्च-गुणवत्ता, लागत प्रभावी उत्पाद प्रदान करने पर ध्यान केंद्रित करते हैं। हमारे आईसीपी प्लाज़्मा नक़्क़ाशी ट्रे का मूल्य लाभ है और इसे कई यूरोपीय और अमेरिकी बाजारों में निर्यात किया जाता है। हमारा लक्ष्य लगातार गुणवत्ता वाले उत्पाद और असाधारण ग्राहक सेवा प्रदान करते हुए आपका दीर्घकालिक भागीदार बनना है।
हमारे आईसीपी प्लाज़्मा एचिंग ट्रे के बारे में अधिक जानने के लिए आज ही हमसे संपर्क करें।

आईसीपी प्लाज्मा नक़्क़ाशी ट्रे के पैरामीटर

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ
SiC-CVD गुण
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण
घनत्व	जी/सेमी ³	3.21
कठोरता	विकर्स कठोरता	2500
अनाज आकार	माइक्रोन	2~10
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
ताप की गुंजाइश	जे किग्रा-1 के-1	640
ऊर्ध्वपातन तापमान	℃	2700
फेलेक्सुरल ताकत	एमपीए (आरटी 4-पॉइंट)	415
यंग का मापांक	जीपीए (4पीटी बेंड, 1300℃)	430
थर्मल विस्तार (सी.टी.ई.)	10-6K -1	4.5
ऊष्मीय चालकता	(डब्ल्यू/एमके)	300