सिलिकॉन कार्बाइड वेफर नाव

सेमीकोरेक्स आपके ओईएम सेमी फैब्रिकेशन टूल्स और वेफर हैंडलिंग घटकों के लिए सेमीकंडक्टर-ग्रेड सिरेमिक इंजीनियर करता है। हमारे सिलिकॉन कार्बाइड वेफर नाव की कीमत अच्छी है और यह कई यूरोपीय और अमेरिकी बाजारों को कवर करती है। हम चीन में आपके दीर्घकालिक साझेदार बनने की आशा करते हैं।

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उत्पाद वर्णन

सेमीकोरेक्स की सिलिकॉन कार्बाइड वेफर बोट, अत्यधिक उच्च शुद्धता (99.99% तक), उत्कृष्ट प्लाज्मा प्रतिरोध और गर्मी प्रतिरोध, और प्रतिबंधित कण घटना की विशेषता है, जिसका उपयोग अर्धचालक प्रसंस्करण उपकरण भागों में किया जाता है, जिसमें संरचनात्मक घटक और उपकरण शामिल हैं।
सेमीकोरेक्स में, हम उच्च-गुणवत्ता, लागत प्रभावी सिलिकॉन कार्बाइड वेफर बोट प्रदान करने पर ध्यान केंद्रित करते हैं, हम ग्राहकों की संतुष्टि को प्राथमिकता देते हैं और लागत प्रभावी समाधान प्रदान करते हैं। हम आपके दीर्घकालिक भागीदार बनने, उच्च गुणवत्ता वाले उत्पादों और असाधारण ग्राहक सेवा प्रदान करने की आशा करते हैं।
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सिलिकॉन कार्बाइड वेफर नाव के पैरामीटर

तकनीकी गुण
अनुक्रमणिका	इकाई	कीमत
सामग्री नाम		रिएक्शन निसादित सिलिकॉन कार्बाइड	दबाव रहित निसादित सिलिकॉन कार्बाइड	Recrystallized सिलिकॉन कार्बाइड
संघटन		आरबीएसआईसी	एसएसआईसी	आर-एसआईसी
थोक घनत्व	जी / सेमी 3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
आनमनी सार्मथ्य	एमपीए (केपीएसआई)	338(49)	380(55)	80-90 (20 डिग्री सेल्सियस) 90-100 (1400 डिग्री सेल्सियस)
सम्पीडक क्षमता	एमपीए (केपीएसआई)	1120(158)	3970(560)	> 600
कठोरता	नूप	2700	2800	/
तप तोड़ना	एमपीए एम 1/2	4.5	4	/
ऊष्मीय चालकता	डब्ल्यू/एम.के	95	120	23
ताप विस्तार प्रसार गुणांक	10^-6.1/डिग्री सेल्सियस	5	4	4.7
विशिष्ट ऊष्मा	जूल/जी 0k	0.8	0.67	/
हवा में अधिकतम तापमान	℃	1200	1500	1600
लोचदार मापांक	जीपीए	360	410	240

एसएसआईसी और आरबीएसआईसी के बीच अंतर:

1. सिंटरिंग प्रक्रिया अलग है। RBSiC कम तापमान पर मुक्त Si को सिलिकॉन कार्बाइड में घुसपैठ करना है, SSiC 2100 डिग्री पर प्राकृतिक संकोचन द्वारा बनता है।

2. SSiC की सतह चिकनी, उच्च घनत्व और उच्च शक्ति है, अधिक सख्त सतह आवश्यकताओं वाले कुछ सीलिंग के लिए, SSiC बेहतर होगा।

3. अलग-अलग PH और तापमान के तहत अलग-अलग उपयोग किया जाने वाला समय, SSiC RBSiC से अधिक लंबा है

सिलिकॉन कार्बाइड वेफर नाव की विशेषताएं

बेहतर गर्मी प्रतिरोध और थर्मल एकरूपता
एक चिकनी सतह के लिए महीन SiC क्रिस्टल लेपित
रासायनिक सफाई के खिलाफ उच्च स्थायित्व
सामग्री को डिज़ाइन किया गया है ताकि दरारें और प्रदूषण न हो।