SiC स्टीयरिंग मिरर

सेमीकोरेक्ससिकस्टीयरिंग मिरर सामग्री गुण

उत्कृष्ट सामग्री विशेषताएँ

अपने असाधारण भौतिक गुणों के कारण, SiC स्टीयरिंग मिरर दूरबीनों में उपग्रह दर्पणों के लिए पसंद की सामग्री है। सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) अपनी उच्च कठोरता और कठोरता के कारण विरूपण के प्रति असाधारण प्रतिरोध के लिए प्रसिद्ध है। कठिन सेटिंग्स में ऑप्टिकल सटीकता को संरक्षित करने के लिए यह आवश्यक है। इसके कम घनत्व के कारण, संरचना हल्की है, जो विशेष रूप से वैमानिकी अनुप्रयोगों में उपयोगी है जहां हर ग्राम मायने रखता है। इसके अतिरिक्त, SiC के थर्मल विस्तार का कम गुणांक तापमान में उतार-चढ़ाव के तहत आयाम परिवर्तन को कम करता है, ऑप्टिकल संरेखण और प्रदर्शन को संरक्षित करता है, जबकि इसकी उत्कृष्ट थर्मल चालकता प्रभावी गर्मी अपव्यय की गारंटी देती है।

यांत्रिक और तापीय लचीलापन

सिक स्टीयरिंग मिरर असाधारण तापीय स्थिरता का प्रदर्शन करते हुए 1400°C तक के तापमान का प्रतिरोध कर सकता है। त्वरित तापमान परिवर्तन की आवश्यकता वाले अनुप्रयोग, जैसे अंतरिक्ष दूरबीन और उच्च गति स्कैनिंग सिस्टम, इस सुविधा पर निर्भर करते हैं। सामग्री की लचीली ताकत, जो 59,465 से 93,549 पीएसआई तक होती है, संरचनात्मक अखंडता का त्याग किए बिना यांत्रिक दबावों को झेलने की इसकी क्षमता को उजागर करती है। SiC अपनी यांत्रिक शक्ति के बावजूद भंगुर हो सकता है, इसलिए क्षति से बचने के लिए उत्पादन और स्थापना के दौरान इसका सावधानीपूर्वक उपचार करना आवश्यक है।

हल्के डिजाइन और सतह की गुणवत्ता

सिक स्टीयरिंग दर्पण की सतह पर कम खुरदरापन इसके उत्कृष्ट ऑप्टिकल प्रदर्शन और कम प्रकाश बिखराव में योगदान देता है। उच्च-ऊर्जा लेजर (एचईएल) सिस्टम जैसे अनुप्रयोगों के लिए जिन्हें सटीक प्रकाश हेरफेर की आवश्यकता होती है, यह आवश्यक है। SiC पारंपरिक कांच के दर्पणों की तुलना में काफी हल्का है, जो अंतरिक्ष अनुप्रयोगों और बड़ी दूरबीनों के लिए एक महत्वपूर्ण विशेषता है जहां वजन में कमी महत्वपूर्ण है। संचालन और स्थापना को सरल बनाने के अलावा, यह हल्का डिज़ाइन वैमानिक मिशनों के लिए कुल पेलोड को कम करता है।

अनुनाद और कठोरता की आवृत्ति

एसआईसी स्टीयरिंग मिरर एचईएल सिस्टम जैसे त्वरण से जुड़े अनुप्रयोगों के लिए बिल्कुल सही है, क्योंकि इसमें ज़ेरोडूर जैसी सामग्रियों पर गुंजयमान आवृत्ति लाभ हैं। उच्च त्वरण और त्वरित निष्क्रिय गर्मी अपव्यय इसकी उल्लेखनीय कठोरता से संभव हो जाता है, जो गतिशील सेटिंग्स में प्रदर्शन को बनाए रखने के लिए आवश्यक है। SiC की अनुकूलनशीलता इसकी जटिल आकृतियों में बनने की क्षमता से और बढ़ जाती है, जो विशिष्ट ऑप्टिकल आवश्यकताओं के अनुकूल अद्वितीय पैटर्न के निर्माण को सक्षम बनाती है।

सीवीडी कोटिंगसंवर्द्धन

रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) का उपयोग SiC स्टीयरिंग दर्पण की सतह के गुणों को बेहतर बनाने के लिए किया जाता है। बेहतर सतह आकृति प्राप्त करके, CVD SiC ऑप्टिकल गुणवत्ता को बढ़ा सकता है। इसके अतिरिक्त, सीवीडी क्लैडिंग प्रक्रिया दर्पण के समग्र प्रदर्शन और दीर्घायु को बढ़ाती है, यह गारंटी देती है कि यह परिष्कृत ऑप्टिकल सिस्टम की सटीक आवश्यकताओं को पूरा करती है।

के लिए उपयोग करता हैसिकस्टीयरिंग दर्पण

अंतरिक्ष और एयरोस्पेस में अनुप्रयोग

सिक स्टीयरिंग मिरर के हल्के और थर्मल रूप से स्थिर गुण इसे अंतरिक्ष और एयरोस्पेस अनुप्रयोगों के लिए एकदम सही बनाते हैं। कठोर अंतरिक्ष वातावरण में ऑप्टिकल सटीकता को संरक्षित करने के लिए उपग्रह दूरबीनों में दर्पण की क्षमता लंबे मिशनों के दौरान भरोसेमंद संचालन की गारंटी देती है। अंतरिक्ष के शून्य-गुरुत्वाकर्षण वातावरण में, जहां सटीक डेटा एकत्र करने के लिए संरेखण बनाए रखना आवश्यक है, गतिशील और गुरुत्वाकर्षण विक्षेपण के लिए इसका प्रतिरोध बहुत फायदेमंद है।

तेज़ स्कैनिंग तंत्र

सिक स्टीयरिंग मिरर की यांत्रिक मजबूती और त्वरित थर्मल स्थिरीकरण उच्च गति स्कैनिंग सिस्टम में सटीक नियंत्रण और तेज़ प्रतिक्रिया समय की अनुमति देता है। इन प्रणालियों को दर्पण की तीव्र गति को सहन करने और गर्मी को प्रभावी ढंग से नष्ट करने की क्षमता प्राप्त होती है, जो गंभीर परिचालन परिस्थितियों में भी स्थिर प्रदर्शन की गारंटी देती है।

उच्च ऊर्जा लेजर (एचईएल) के अनुप्रयोग

सिक स्टीयरिंग मिरर की उल्लेखनीय कठोरता और गुंजयमान आवृत्ति लाभ एचईएल अनुप्रयोगों के लिए अमूल्य हैं। दर्पण लेजर सिस्टम का एक आदर्श हिस्सा है जिसे बड़े ऊर्जा भार का सामना करने और गर्मी को जल्दी खत्म करने की क्षमता के कारण सटीक बीम नियंत्रण और स्थिरता की आवश्यकता होती है। जटिल आकार लेने की इसकी क्षमता अनुकूलित समाधानों को सक्षम बनाती है जो अत्याधुनिक लेजर तकनीक की अनूठी आवश्यकताओं को पूरा करती है।

बड़ी दूरबीनें

सिक स्टीयरिंग मिरर की कम बिखरने वाली सतह और हल्के डिजाइन बड़े दूरबीनों में ऑप्टिकल प्रदर्शन में सुधार करते हैं। स्थापना और संरेखण को सरल बनाने के अलावा, हल्का वजन संरचनात्मक अखंडता से समझौता किए बिना अधिक दर्पण व्यास की अनुमति देता है। खगोलीय अनुप्रयोगों में, जहां दूर स्थित आकाशीय पिंडों के अवलोकन के लिए प्रकाश संग्रहण को अनुकूलित करने की आवश्यकता होती है, यह महत्वपूर्ण है।

सिक विनिर्माण प्रक्रिया

सिक का उत्पादन कई जटिल प्रक्रियाओं के माध्यम से किया जाता है। सबसे पहले, सिलिकॉन कार्बाइड बनाने के लिए सिलिका रेत या तरल सिलिकॉन को उच्च तापमान वाली भट्टी में कार्बन के साथ गर्म किया जाता है। इस तकनीक के माध्यम से, घने SiC का निर्माण किया जाता है, जिसे बाद में उच्च दबाव में और गैर-ऑक्साइड सिंटरिंग एडिटिव्स के साथ 2000 डिग्री सेल्सियस से ऊपर के तापमान पर एक निष्क्रिय वातावरण में सिंटर किया जाता है। इसके अलावा, अत्यधिक शुद्ध SiC को रासायनिक वाष्प जमाव के माध्यम से फेस-केंद्रित क्यूबिक क्रिस्टल रूप में उत्पादित किया जाता है, जिससे इसकी यांत्रिक और ऑप्टिकल विशेषताओं में सुधार होता है।