SiC लेपित एपिटैक्सी डिस्क

सेमीकोरेक्स SiC कोटेड एपिटैक्सी डिस्क के व्यापक गुण हैं जो इसे सेमीकंडक्टर निर्माण में एक अनिवार्य घटक बनाते हैं, जहां उच्च तकनीक वाले सेमीकंडक्टर उपकरणों की सफलता के लिए उपकरणों की सटीकता, स्थायित्व और मजबूती सर्वोपरि है। सेमीकोरेक्स में हम उच्च-प्रदर्शन वाली SiC कोटेड एपिटैक्सी डिस्क के निर्माण और आपूर्ति के लिए समर्पित हैं जो गुणवत्ता को लागत-दक्षता के साथ जोड़ती है।**

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उत्पाद वर्णन

सेमीकोरेक्स SiC कोटेड एपिटैक्सी डिस्क में सेमीकंडक्टर उद्योग के भीतर अद्वितीय लाभों की एक श्रृंखला है, जिसे आगे इस प्रकार विस्तृत किया जा सकता है:

थर्मल विस्तार का कम गुणांक: SiC लेपित एपिटैक्सी डिस्क थर्मल विस्तार के उल्लेखनीय रूप से कम गुणांक का दावा करता है, जो अर्धचालक प्रसंस्करण में महत्वपूर्ण है जहां आयामी स्थिरता आवश्यक है। यह विशेषता सुनिश्चित करती है कि SiC लेपित एपिटैक्सी डिस्क तापमान भिन्नता के तहत न्यूनतम विस्तार या संकुचन से गुजरती है, जिससे उच्च तापमान प्रक्रियाओं के दौरान अर्धचालक संरचना की अखंडता बनी रहती है।

उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध: उल्लेखनीय ऑक्सीकरण प्रतिरोध के साथ इंजीनियर किया गया, यह SiC लेपित एपिटैक्सी डिस्क ऊंचे तापमान पर अपनी संरचनात्मक अखंडता को बरकरार रखता है, जिससे यह उच्च तापमान अर्धचालक प्रक्रियाओं के भीतर अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श घटक बन जाता है जहां थर्मल स्थिरता महत्वपूर्ण है।

घनी और महीन-छिद्रपूर्ण सतह: SiC लेपित एपिटैक्सी डिस्क की सतह को इसके घनत्व और महीन छिद्र की विशेषता है, जो विभिन्न कोटिंग्स का पालन करने के लिए एक इष्टतम सतह बनावट प्रदान करती है और नाजुक सतह को नुकसान पहुंचाए बिना सेमीकंडक्टर वेफर प्रसंस्करण के दौरान प्रभावी सामग्री हटाने को सुनिश्चित करती है।

उच्च कठोरता: कोटिंग ग्रेफाइट डिस्क को उच्च स्तर की कठोरता प्रदान करती है, जो खरोंच और घिसाव के लिए प्रतिरोधी है, इस प्रकार SiC लेपित एपिटैक्सी डिस्क की सेवा जीवन को बढ़ाती है और अर्धचालक विनिर्माण वातावरण में प्रतिस्थापन की आवृत्ति को कम करती है।

अम्ल, क्षार, लवण और कार्बनिक अभिकर्मकों का प्रतिरोध: SiC लेपित एपिटैक्सी डिस्क की CVD SiC कोटिंग एसिड, क्षार, लवण और कार्बनिक अभिकर्मकों सहित संक्षारक एजेंटों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उत्कृष्ट प्रतिरोध प्रदान करती है, जो इसे ऐसे वातावरण में उपयोग के लिए उपयुक्त बनाती है जहां रासायनिक जोखिम एक चिंता का विषय है, जिससे उपकरण की विश्वसनीयता और दीर्घायु बढ़ती है।

बीटा-SiC सतह परत: SiC लेपित एपिटैक्सी डिस्क की SIC (सिलिकॉन कार्बाइड) सतह परत में बीटा-SiC होता है, जिसमें एक फेस-केंद्रित क्यूबिक (FCC) क्रिस्टल संरचना होती है। यह क्रिस्टल संरचना कोटिंग के असाधारण यांत्रिक और थर्मल गुणों में योगदान करती है, जो डिस्क को बेहतर ताकत और थर्मल चालकता प्रदान करती है, जो अर्धचालक प्रसंस्करण उपकरण के लिए आवश्यक है।