SiC-लेपित एपिटैक्सियल रिसेप्टर्स

सेमीकंडक्टरsubstratesगैस प्रवाह दिशा (क्षैतिज और ऊर्ध्वाधर), तापमान, दबाव, सब्सट्रेट निर्धारण और कण संदूषण सहित कई महत्वपूर्ण कारकों के प्रभाव के कारण एपिटैक्सियल जमाव के दौरान एमओसीवीडी या सीवीडी उपकरण में सीधे आधार पर सेट नहीं किया जा सकता है। इस कारण से, सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट्स को समर्थन और सुरक्षित करने के लिए एमओसीवीडी/सीवीडी सिस्टम में प्रतिक्रिया कक्ष के केंद्र में एपिटैक्सियल रिसेप्टर्स को तैनात करने की आवश्यकता होती है, इस प्रकार कंपन या स्थितिगत विस्थापन के कारण एपिटैक्सियल विकास की गुणवत्ता में गिरावट को रोका जा सकता है।

सेमीकोरेक्स के लिए मैट्रिक्स सामग्री के रूप में उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट का उपयोग किया जाता हैSiC-लेपित एपिटैक्सियल रिसेप्टर्स, उन्नत सीवीडी तकनीकों द्वारा उनकी सतह पर सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग जमा की जाती है। सेमीकोरेक्स SiC-लेपित एपिटैक्सियल रिसेप्टर्स एपिटैक्सियल परत निर्माण प्रक्रिया में अपरिहार्य घटक हैं। उनकी प्राथमिक भूमिका सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट्स पर एपिटैक्सियल परतों के विकास के लिए एक स्थिर और नियंत्रणीय ऑपरेटिंग वातावरण प्रदान करना है, जिससे वेफर सतह की गुणवत्ता की स्थिरता सुनिश्चित हो सके।

सेमीकोरेक्स SiC-लेपित एपिटैक्सियल रिसेप्टर्स की विशेषताएं

1. 1600℃ परिचालन स्थितियों का सामना करने के लिए उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध।

2. उच्च तापीय चालकता, अर्धचालक सब्सट्रेट्स पर समान तापमान वितरण बनाए रखने के लिए तेजी से गर्मी हस्तांतरण प्रदान करती है।

3. रासायनिक क्षरण और संक्षारण का प्रतिरोध करने के लिए मजबूत रासायनिक संक्षारण प्रतिरोध, सब्सट्रेट और एपिटैक्सियल परतों की प्रक्रिया संदूषण से बचना।

4. कोटिंग क्रैकिंग और प्रदूषण की घटना से बचने के लिए बेहतर थर्मल शॉक प्रतिरोध।

5.असाधारण सतह समतलता, सबस्ट्रेट्स पर अच्छी तरह से फिट होना जो अंतराल और दोषों को कम करता है।

6. लंबे समय तक सेवा जीवन, भागों के प्रतिस्थापन और रखरखाव के कारण होने वाले समय और आर्थिक नुकसान को कम करना।

सेमीकोरेक्स SiC-लेपित एपिटैक्सियल रिसेप्टर्स के अनुप्रयोग

कई उत्कृष्ट फायदों के साथ, सेमीकोरेक्स SiC-लेपित एपिटैक्सियल रिसेप्टर्स एपिटैक्सियल पतली फिल्मों की एकसमान और नियंत्रणीय वृद्धि को सुविधाजनक बनाने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं और सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल विकास प्रक्रिया में व्यापक रूप से लागू होते हैं।

1.GaN एपिटैक्सियल ग्रोथ

2.SiC एपिटैक्सियल वृद्धि

3.Si एपिटैक्सियल ग्रोथ