SiC सिरेमिक वैक्यूम चक

जैसा कि वे मूर के नियम के लिए प्रयास करते हैं, अर्धचालक निर्माण सुविधाओं को वेफर-होल्डिंग प्लेटफार्मों की आवश्यकता होती है जो गंभीर यांत्रिक बलों को सहन कर सकते हैं और बिना किसी उछाल या गिरावट के सपाट रह सकते हैं। सेमीकोरेक्स SiC सिरेमिक वैक्यूम चक पारंपरिक एल्यूमिना और स्टेनलेस स्टील चक को बदलने के लिए सही समाधान प्रदान करता है; वे वजन अनुपात के लिए आवश्यक कठोरता प्रदान करेंगे और रासायनिक रूप से प्रतिक्रिया नहीं करेंगे, ये दोनों 300 मिमी वेफर्स और उससे आगे के प्रसंस्करण के लिए आवश्यक हैं।

1. सिंटर्ड डेंस सिलिकॉन कार्बाइड (एसएसआईसी) का उपयोग करके भौतिक लाभ।

हमारा मूल घटकSiC सिरेमिकवैक्यूम चक सिंटेड हैसिलिकन कार्बाइड, एक ऐसी सामग्री जिसे इसके बहुत मजबूत सहसंयोजक बंधन द्वारा परिभाषित किया गया है। हमारा SSiC छिद्रपूर्ण या प्रतिक्रिया-बंधित नहीं है; बल्कि, इसे लगभग सैद्धांतिक घनत्व (> 3.10 ग्राम/सेमी3) प्राप्त करने के लिए > 2000 डिग्री सेल्सियस पर सिंटर किया जाता है - सीधे शब्दों में कहें तो, यह वैक्यूम चक बनाने के लिए उपयोग की जाने वाली अन्य सामग्रियों की तुलना में अधिक ठोस है।

असाधारण यांत्रिक कठोरता.

SSiC का यंग मापांक लगभग 420 GPa है, इस प्रकार यह एल्यूमिना (लगभग 380 GPa) की तुलना में अधिक कठोर है। लोच के इस उच्च मापांक के कारण, हमारे चक वैक्यूम और उच्च गति रोटेशन दोनों स्थितियों में स्थिर रहेंगे और विकृत नहीं होंगे; इसलिए, वेफर्स "आलू चिप" (यानी, ताना-बाना) नहीं करेंगे और हमेशा अपने पूरे सतह क्षेत्र में एक समान संपर्क बनाएंगे।

थर्मल स्थिरता और कम सीटीई

उच्च तीव्रता वाले यूवी प्रकाश या घर्षण-प्रेरित गर्मी से जुड़ी प्रक्रियाओं में, थर्मल विस्तार से ओवरले त्रुटियां हो सकती हैं। हमारे SiC चक में उच्च तापीय चालकता (>120W/m·K) के साथ 4.0 x 10^{-6}/K का कम तापीय विस्तार गुणांक (CTE) होता है। यह संयोजन चक को तेजी से गर्मी खत्म करने की अनुमति देता है, जिससे लंबी अवधि की लिथोग्राफी या मेट्रोलॉजी चक्रों के दौरान आयामी स्थिरता बनी रहती है।

2. परिशुद्धता इंजीनियरिंग और डिजाइन

जैसा कि उत्पाद छवि में दिखाई दे रहा है, हमारे वैक्यूम चक में संकेंद्रित और रेडियल वैक्यूम चैनलों का एक जटिल नेटवर्क है। ये वेफर में एक समान सक्शन सुनिश्चित करने के लिए अत्यधिक परिशुद्धता के साथ सीएनसी-मशीनीकृत हैं, स्थानीय तनाव बिंदुओं को कम करते हैं जो वेफर टूटने का कारण बन सकते हैं।

उप-माइक्रोन समतलता: हम <1μm की वैश्विक समतलता प्राप्त करने के लिए उन्नत हीरा पीसने और लैपिंग तकनीकों का उपयोग करते हैं। उन्नत लिथोग्राफी नोड्स में आवश्यक फोकल गहराई को बनाए रखने के लिए यह महत्वपूर्ण है।

लाइटवेटिंग (वैकल्पिक): स्टेपर और स्कैनर में उच्च-त्वरण चरणों को समायोजित करने के लिए, हम आंतरिक हनीकॉम्ब "लाइटवेटिंग" संरचनाएं प्रदान करते हैं जो संरचनात्मक कठोरता से समझौता किए बिना द्रव्यमान को कम करते हैं।

परिधि संरेखण पायदान: एकीकृत पायदान प्रक्रिया उपकरण के भीतर रोबोटिक अंत-प्रभावकों और संरेखण सेंसर के साथ निर्बाध एकीकरण की अनुमति देते हैं।

3. सेमीकंडक्टर आपूर्ति श्रृंखला में महत्वपूर्ण अनुप्रयोग

हमारे SiC सिरेमिक वैक्यूम चक निम्नलिखित के लिए उद्योग मानक हैं:

वेफर थिनिंग एंड ग्राइंडिंग (सीएमपी): किनारों को काटे बिना माइक्रोन स्तर तक पतले वेफर्स के लिए आवश्यक कठोर समर्थन प्रदान करना।

लिथोग्राफी (स्टेपर्स/स्कैनर): अल्ट्रा-फ्लैट "स्टेज" के रूप में कार्य करना जो उप-7एनएम नोड्स के लिए सटीक लेजर फोकसिंग सुनिश्चित करता है।

मेट्रोलॉजी और एओआई: यह सुनिश्चित करना कि उच्च-रिज़ॉल्यूशन निरीक्षण और दोष मानचित्रण के लिए वेफर्स बिल्कुल सपाट हों।

वेफर डाइसिंग: हाई-स्पीड मैकेनिकल या लेजर डाइसिंग संचालन के दौरान स्थिर सक्शन प्रदान करना।

सेमीकोरेक्स में, हम समझते हैं कि एक वैक्यूम चक केवल उसकी सतह की अखंडता के बराबर ही अच्छा होता है। प्रत्येक चक एक बहु-स्तरीय गुणवत्ता नियंत्रण प्रक्रिया से गुज़रता है:

लेजर इंटरफेरोमेट्री: पूरे व्यास में समतलता को सत्यापित करने के लिए।

हीलियम रिसाव परीक्षण: यह सुनिश्चित करना कि वैक्यूम चैनल पूरी तरह से सीलबंद और कुशल हैं।

क्लीनरूम सफ़ाई: शून्य धात्विक या कार्बनिक संदूषण सुनिश्चित करने के लिए कक्षा 100 के वातावरण में संसाधित।

हमारी इंजीनियरिंग टीम स्लॉट पैटर्न, आयाम और माउंटिंग इंटरफेस को अनुकूलित करने के लिए OEM टूल निर्माताओं के साथ मिलकर काम करती है। सेमीकोरेक्स को चुनकर, आप एक ऐसे घटक में निवेश कर रहे हैं जो डाउनटाइम को कम करता है, ओवरले सटीकता में सुधार करता है, और अत्यधिक स्थायित्व के माध्यम से आपके स्वामित्व की कुल लागत को कम करता है।