आरटीपी/आरटीए सीआईसी कोटिंग कैरियर

सेमीकोरेक्स आरटीपी/आरटीए सीआईसी कोटिंग कैरियर को जमाव वातावरण की सबसे कठिन परिस्थितियों का सामना करने के लिए इंजीनियर किया गया है। अपनी उच्च गर्मी और संक्षारण प्रतिरोध के साथ, यह उत्पाद एपिटैक्सियल विकास के लिए इष्टतम प्रदर्शन प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। SiC लेपित वाहक में उच्च तापीय चालकता और उत्कृष्ट ताप वितरण गुण हैं, जो आरटीए, आरटीपी या कठोर रासायनिक सफाई के लिए विश्वसनीय प्रदर्शन सुनिश्चित करते हैं।

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उत्पाद वर्णन

एमओसीवीडी एपिटैक्सियल ग्रोथ के लिए हमारा आरटीपी/आरटीए सीआईसी कोटिंग कैरियर वेफर हैंडलिंग और एपिटैक्सियल ग्रोथ प्रोसेसिंग के लिए सही समाधान है। चिकनी सतह और रासायनिक सफाई के खिलाफ उच्च स्थायित्व के साथ, यह उत्पाद कठोर जमाव वाले वातावरण में विश्वसनीय प्रदर्शन प्रदान करता है।
हमारे आरटीपी/आरटीए सीआईसी कोटिंग कैरियर की सामग्री को दरारें और प्रदूषण को रोकने के लिए इंजीनियर किया गया है, जबकि बेहतर गर्मी प्रतिरोध और थर्मल एकरूपता आरटीए, आरटीपी, या कठोर रासायनिक सफाई के लिए लगातार प्रदर्शन सुनिश्चित करती है।
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आरटीपी/आरटीए सीआईसी कोटिंग कैरियर के पैरामीटर

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ
SiC-CVD गुण
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण
घनत्व	जी/सेमी ³	3.21
कठोरता	विकर्स कठोरता	2500
अनाज आकार	माइक्रोन	2~10
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
ताप की गुंजाइश	जे किग्रा-1 के-1	640
ऊर्ध्वपातन तापमान	℃	2700
फेलेक्सुरल ताकत	एमपीए (आरटी 4-पॉइंट)	415
यंग का मापांक	जीपीए (4पीटी बेंड, 1300℃)	430
थर्मल विस्तार (सी.टी.ई.)	10-6K -1	4.5
ऊष्मीय चालकता	(डब्ल्यू/एमके)	300

आरटीपी/आरटीए सीआईसी कोटिंग कैरियर की विशेषताएं

उच्च शुद्धता SiC लेपित ग्रेफाइट
बेहतर गर्मी प्रतिरोध और थर्मल एकरूपता
चिकनी सतह के लिए महीन SiC क्रिस्टल लेपित
रासायनिक सफाई के खिलाफ उच्च स्थायित्व
सामग्री को डिज़ाइन किया गया है ताकि दरारें और प्रदूषण न हो।