8 इंच एपि बॉटम रिंग

अर्धविराम 8 इंच ईपीआई बॉटम रिंग एक महत्वपूर्ण संरचनात्मक हिस्सा है जिसका उपयोग अर्धचालक एपिटैक्सी उपकरण के लिए किया जाता है और इसे विशेष रूप से पूर्ण सूस्विनर असेंबली की निचली अंगूठी के रूप में डिज़ाइन किया गया है। नीचे की अंगूठी वेफर वाहक प्रणाली का समर्थन करती है, जो कि मैकेनस्का स्थिरता, थर्मल एकरूपता और प्रक्रिया अखंडता में योगदान करते हुए वेफर के एपिटैक्सियल ग्रोथ के दौरान होती है, जो उच्च प्रदर्शन सेमीकंडक्टर वेफर्स के निर्माण के लिए आवश्यक होती है। नीचे की अंगूठी उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट से निर्मित होती है, जिसे सतह के स्तर पर, सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) के घने और समान कोटिंग के साथ लेपित किया गया है। नतीजतन, यह चरम थर्मल और रासायनिक परिस्थितियों में उन्नत एपिटैक्सियल रिएक्टरों के लिए एक अत्यधिक विश्वसनीय विकल्प का प्रतिनिधित्व करता है।

ग्रेफाइट अपने हल्के वजन, उत्कृष्ट थर्मल कंडक्टर, और उच्च तापमान के तहत स्पर्शरेखा और ऊर्ध्वाधर आयामों के साथ गैर-जटिल निर्माण के कारण नीचे की अंगूठी के लिए सबसे उपयुक्त आधार सामग्री है। ये गुण नीचे की अंगूठी को गति से थर्मल रूप से चक्र करने की अनुमति देते हैं और इसलिए सेवा में रहते हुए यांत्रिक प्रदर्शन में लगातार निरंतरता का प्रदर्शन करते हैं। SIC बाहरी कोटिंग को घने और दोष-मुक्त सिरेमिक बाहरी परत के निर्माण के लिए एक रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) प्रक्रिया का उपयोग करके लागू किया जाता है। इसके अलावा, सीवीडी प्रक्रिया एक प्रक्रिया प्रदान करती है जो अंतर्निहित सब्सट्रेट ग्रेफाइट को परेशान नहीं करने के लिए देखभाल के साथ एसआईसी कोटिंग को संभालकर पहनने और कण पीढ़ी को सीमित करती है। एसआईसी और ग्रेफाइट के एक समामेलन के रूप में, एसआईसी सतह की परत रासायनिक रूप से प्रक्रिया गैसों की संक्षारक कार्रवाई के लिए निष्क्रिय है, विशेष रूप से हाइड्रोजन और क्लोरीनयुक्त बायप्रोडक्ट्स के साथ, और उत्कृष्ट कठोरता और पहनने के प्रतिरोध दोनों हैं - उपयोग में रहते हुए वेफर वाहक प्रणाली को जितना संभव हो उतना समर्थन सुनिश्चित करते हैं।

8 इंच ईपीआई बॉटम रिंग को सबसे क्षैतिज या ऊर्ध्वाधर MOCVD और CVD एपिटैक्सियल टूल के साथ संगतता के लिए बनाया गया है जो सिलिकॉन, सिलिकॉन कार्बाइड या यौगिक अर्धचालक जमा करते हैं। अनुकूलित ज्यामिति को वेफर होल्डर सिस्टम के सटीक और शीर्ष घटकों को सटीक संरेखण, सार्वभौमिक गर्मी वितरण और वेफर रोटेशन में स्थिरता के साथ फिट करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। रिंग की उत्कृष्ट सपाटता और संकेंद्रण की विशेषता एपिटैक्सियल परत एकरूपता को आयात करने और वेफर सतह पर दोषों को कम करने के लिए।

इस SIC कोटेड ग्रेफाइट रिंग के फायदों में से एक कम कण उत्सर्जन व्यवहार है जो प्रसंस्करण में रहते हुए वेफर के संदूषण को कम करता है। SIC परत स्वच्छ चैम्बर वातावरण और उच्च उपज दर को प्राप्त करने के लिए अन-लेपित ग्रेफाइट घटकों की तुलना में कार्बन कणों की उत्पादन और उत्पादन को कम करती है। इसके अलावा, समग्र संरचना का उत्कृष्ट थर्मल शॉक प्रतिरोध उत्पाद के जीवन को बढ़ाता है, अर्धचालक निर्माताओं के लिए प्रतिस्थापन और कम संचालन लागत को कम करता है।

सभी नीचे के छल्ले को आयामी रूप से जांचा जाता है, सतह की गुणवत्ता की जाँच की जाती है, और थर्मल चक्र का परीक्षण किया जाता है ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि वे अर्धचालक निर्माण के वातावरण की महत्वपूर्ण पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करते हैं। इसके अतिरिक्त, एसआईसी सतह कोटिंग की मोटाई यांत्रिक और थर्मल संभावित संगतता के लिए पर्याप्त से अधिक है; एसआईसी कोटिंग्स को नियमित रूप से आसंजन कारकों के लिए जांच की जाती है जो यह सुनिश्चित करती है कि छीलना या फ्लेकिंग तब नहीं होता है जब नीचे के छल्ले उच्च तापमान बयान के संपर्क में होते हैं। फ्लैट बॉटम रिंग को व्यक्तिगत रिएक्टर डिजाइन और प्रक्रिया अनुप्रयोगों के लिए कुछ मामूली आयामी और कोटिंग संपत्ति विविधताओं के साथ अनुकूलित किया जा सकता है।

अर्धविराम से अर्धविराम 8 इंच की ईपीआई बॉटम रिंग ताकत, रासायनिक प्रतिरोध और एपिटैक्सियल ग्रोथ सिस्टम के लिए अनुकूल थर्मल विशेषताओं का एक उत्कृष्ट संतुलन प्रदान करता है। एसआईसी कोटेड ग्रेफाइट के ज्ञात लाभों के कारण, यह नीचे की अंगूठी किसी भी उच्च तापमान बयान प्रक्रिया में उच्च वेफर गुणवत्ता, कम संदूषण संभावना और लंबे समय तक सेवा जीवन प्रदान करती है। इस निचले रिंग को SI, SIC, या III-V सामग्री एपिटैक्सियल ग्रोथ के साथ उपयोग के लिए इंजीनियर किया गया है; यह अर्धचालक सामग्री की मांग के उत्पादन में विश्वसनीय, दोहराव योग्य आराम की पेशकश करने के लिए बनाया गया है।