सिलिकॉन कार्बाइड ग्रेफाइट सब्सट्रेट MOCVD ससेप्टर

सेमीकोरेक्स सिलिकॉन कार्बाइड ग्रेफाइट सबस्ट्रेट एमओसीवीडी ससेप्टर उन सेमीकंडक्टर निर्माताओं के लिए अंतिम पसंद है जो उच्च गुणवत्ता वाले वाहक की तलाश में हैं जो बेहतर प्रदर्शन और स्थायित्व प्रदान कर सकते हैं। इसकी उन्नत सामग्री समान थर्मल प्रोफाइल और लैमिनर गैस प्रवाह पैटर्न सुनिश्चित करती है, जिससे उच्च गुणवत्ता वाले वेफर्स मिलते हैं।

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उत्पाद वर्णन

हमारा सिलिकॉन कार्बाइड ग्रेफाइट सब्सट्रेट एमओसीवीडी ससेप्टर अत्यधिक शुद्ध है, जो उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के तहत सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा बनाया गया है, जो उत्पाद की एकरूपता और स्थिरता सुनिश्चित करता है। यह घनी सतह और महीन कणों के साथ अत्यधिक संक्षारण प्रतिरोधी भी है, जो इसे एसिड, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मकों के प्रति प्रतिरोधी बनाता है। इसका उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध 1600 डिग्री सेल्सियस तक उच्च तापमान पर स्थिरता सुनिश्चित करता है।
हमारे सिलिकॉन कार्बाइड ग्रेफाइट सब्सट्रेट एमओसीवीडी ससेप्टर के बारे में अधिक जानने के लिए आज ही हमसे संपर्क करें।

सिलिकॉन कार्बाइड ग्रेफाइट सब्सट्रेट एमओसीवीडी ससेप्टर के पैरामीटर

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ
SiC-सीवीडी गुण
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण
घनत्व	जी/सेमी ³	3.21
कठोरता	विकर्स कठोरता	2500
अनाज आकार	माइक्रोन	2~10
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
ताप की गुंजाइश	जे किग्रा-1 के-1	640
ऊर्ध्वपातन तापमान	℃	2700
फेलेक्सुरल ताकत	एमपीए (आरटी 4-पॉइंट)	415
यंग का मापांक	जीपीए (4पीटी बेंड, 1300℃)	430
थर्मल विस्तार (सी.टी.ई.)	10-6K -1	4.5
ऊष्मीय चालकता	(डब्ल्यू/एमके)	300

एमओसीवीडी के लिए एसआईसी लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर की विशेषताएं

- छीलने से बचें और पूरी सतह पर कोटिंग सुनिश्चित करें
उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस तक उच्च तापमान पर स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के तहत सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा बनाई गई।
संक्षारण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, घनी सतह और महीन कण।
संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।
- सर्वोत्तम लेमिनर गैस प्रवाह पैटर्न प्राप्त करें
- थर्मल प्रोफाइल की समरूपता की गारंटी
- किसी भी संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकें