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एमओसीवीडी के लिए एसआईसी ससेप्टर

एमओसीवीडी के लिए एसआईसी ससेप्टर

सेमीकोरेक्स एमओसीवीडी के लिए सीआईसी ससेप्टर का एक अग्रणी निर्माता और आपूर्तिकर्ता है। हमारा उत्पाद विशेष रूप से वेफर चिप पर एपिटैक्सियल परत को विकसित करने में सेमीकंडक्टर उद्योग की जरूरतों को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। उत्पाद का उपयोग गियर या रिंग के आकार के डिज़ाइन के साथ MOCVD में केंद्र प्लेट के रूप में किया जाता है। इसमें उच्च ताप और संक्षारण प्रतिरोध है, जो इसे चरम वातावरण में उपयोग के लिए आदर्श बनाता है।

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उत्पाद वर्णन

एमओसीवीडी के लिए हमारा सीआईसी ससेप्टर एक उच्च गुणवत्ता वाला उत्पाद है जिसमें कई प्रमुख विशेषताएं हैं। यह पूरी सतह पर कोटिंग सुनिश्चित करता है, छिलने से बचाता है, और इसमें उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध होता है, जो 1600 डिग्री सेल्सियस तक के उच्च तापमान पर भी स्थिरता सुनिश्चित करता है। उत्पाद उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के तहत सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव के माध्यम से उच्च शुद्धता के साथ बनाया जाता है। इसकी सतह बारीक कणों से युक्त घनी होती है, जो इसे अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मकों से होने वाले संक्षारण के प्रति अत्यधिक प्रतिरोधी बनाती है।
एमओसीवीडी के लिए हमारा सीआईसी ससेप्टर थर्मल प्रोफाइल की समरूपता सुनिश्चित करते हुए सर्वोत्तम लेमिनर गैस प्रवाह पैटर्न की गारंटी देने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह किसी भी संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकता है, वेफर चिप पर उच्च गुणवत्ता वाले एपिटैक्सियल विकास को सुनिश्चित करता है।


MOCVD के लिए SiC Susceptor के पैरामीटर

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ

SiC-CVD गुण

क्रिस्टल की संरचना

एफसीसी β चरण

घनत्व

जी/सेमी ³

3.21

कठोरता

विकर्स कठोरता

2500

अनाज आकार

माइक्रोन

2~10

रासायनिक शुद्धता

%

99.99995

ताप की गुंजाइश

जे किग्रा-1 के-1

640

ऊर्ध्वपातन तापमान

2700

फेलेक्सुरल ताकत

एमपीए (आरटी 4-पॉइंट)

415

यंग का मापांक

जीपीए (4पीटी बेंड, 1300℃)

430

थर्मल विस्तार (सी.टी.ई.)

10-6K -1

4.5

ऊष्मीय चालकता

(डब्ल्यू/एमके)

300


MOCVD के लिए SiC Susceptor की विशेषताएं

- छीलने से बचें और पूरी सतह पर कोटिंग सुनिश्चित करें
उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस तक उच्च तापमान पर स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के तहत सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा बनाई गई।
संक्षारण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, घनी सतह और महीन कण।
संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।
- सर्वोत्तम लेमिनर गैस प्रवाह पैटर्न प्राप्त करें
- थर्मल प्रोफाइल की समरूपता की गारंटी
- किसी भी संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकें




हॉट टैग: MOCVD के लिए SiC ससेप्टर, चीन, निर्माता, आपूर्तिकर्ता, फैक्टरी, अनुकूलित, थोक, उन्नत, टिकाऊ
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