SiC लेपित ग्रेफाइट ट्रे

एपिटैक्सियल उपकरण के प्राथमिक घटक के रूप में,SiC लेपित ग्रेफाइट ट्रे, सीधे उत्पादन क्षमता, एकरूपता और एपिटैक्सियल परत वृद्धि की दोष दर को प्रभावित करता है।    

ग्रेफाइट शुद्धिकरण, सटीक प्रसंस्करण और सफाई उपचार के माध्यम से, ग्रेफाइट सब्सट्रेट की सतह उत्कृष्ट समतलता और चिकनाई प्राप्त कर सकती है, जिससे कण संदूषण के जोखिम से सफलतापूर्वक बचा जा सकता है। रासायनिक वाष्प जमाव के माध्यम से, ग्रेफाइट सब्सट्रेट की सतह प्रतिक्रियाशील गैस के साथ रासायनिक प्रतिक्रिया से गुजरती है, जिससे घने, छिद्र रहित और समान रूप से मोटी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटिंग उत्पन्न होती है। सब्सट्रेट की तैयारी से लेकर कोटिंग उपचार तक, पूरी उत्पादन प्रक्रिया कक्षा 100 क्लीनरूम में की जाती है, जो अर्धचालकों के लिए उपयुक्त स्वच्छता मानकों को पूरा करती है।

SiC लेपित ग्रेफाइट ट्रे जो उच्च शुद्धता कम अशुद्धता वाले ग्रेफाइट और SiC सामग्रियों से बनी है, इसमें उत्कृष्ट तापीय चालकता और थर्मल विस्तार का कम गुणांक है। यह न केवल SiC-लेपित ग्रेफाइट ट्रे को एपिटैक्सियल परत की विकास गुणवत्ता में सुधार करने के लिए तेजी से और समान रूप से गर्मी स्थानांतरित करने में सक्षम बनाता है, बल्कि थर्मल तनाव के कारण कोटिंग के झड़ने या टूटने के जोखिम को भी प्रभावी ढंग से कम करता है। इसके अलावा, समान और सघन SiC कोटिंग उच्च तापमान, ऑक्सीकरण और संक्षारण के लिए प्रतिरोधी है, जो उच्च तापमान और संक्षारक गैस स्थितियों के तहत लंबे समय तक स्थिर संचालन सुनिश्चित करती है।

SiC लेपित ग्रेफाइट ट्रे में धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (MOCVD) उपकरण के साथ उच्च अनुकूलता है। इसे विभिन्न प्रक्रिया मापदंडों और उपकरण आवश्यकताओं के अनुकूल बनाने के लिए सावधानीपूर्वक आकार और डिज़ाइन किया गया है। सेमीकोरेक्स हमेशा हमारे मूल्यवान ग्राहकों को SiC लेपित ग्रेफाइट ट्रे के विभिन्न आकारों, कोटिंग मोटाई और सतह खुरदरापन के लिए उनकी आवश्यकताओं को सटीक रूप से पूरा करने के लिए पेशेवर अनुरूप सेवाएं प्रदान करने पर जोर देता है।