झरझरा ग्रेफाइट क्रूसिबल

एक झरझरा ग्रेफाइट क्रूसिबल सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एकल क्रिस्टल विकास की प्रक्रिया में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जो सेमीकंडक्टर निर्माण में एक महत्वपूर्ण कदम है। इस विशेष क्रूसिबल को अत्यधिक तापमान और कठोर रासायनिक वातावरण का सामना करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो इसे SiC क्रिस्टल विकास में शामिल उच्च तापमान प्रतिक्रियाओं के लिए एक आदर्श कंटेनर बनाता है।

क्रूसिबल आमतौर पर उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट सामग्री से बना होता है, जो अपनी उत्कृष्ट तापीय चालकता, रासायनिक जड़ता और यांत्रिक शक्ति के लिए जाना जाता है। शब्द "छिद्रपूर्ण" ग्रेफाइट के भीतर एक पारगम्य संरचना के जानबूझकर निर्माण को संदर्भित करता है, जो क्रिस्टल विकास प्रक्रिया के दौरान गैसों और तरल पदार्थों के नियंत्रित प्रवाह की अनुमति देता है।

SiC एकल क्रिस्टल विकास प्रक्रिया में उच्च तापमान भट्टी में सिलिकॉन और कार्बन स्रोत सामग्री का उर्ध्वपातन शामिल है। झरझरा ग्रेफाइट क्रूसिबल इन स्रोत सामग्रियों के लिए एक कंटेनर के रूप में कार्य करता है, जो क्रिस्टल के विकास के लिए एक स्थिर और नियंत्रित वातावरण प्रदान करता है। इसकी छिद्रपूर्ण संरचना पूर्ववर्ती गैसों के कुशल परिवहन की अनुमति देती है और विकास प्रक्रिया के दौरान उत्पन्न उप-उत्पादों को हटाने की सुविधा प्रदान करती है।

क्रूसिबल की स्थिरता बनाए रखने और चरम स्थितियों का सामना करने की क्षमता उच्च गुणवत्ता वाले SiC एकल क्रिस्टल प्राप्त करने के लिए आवश्यक है, जो अर्धचालक उपकरणों के उत्पादन का अभिन्न अंग हैं। क्रूसिबल की सरंध्रता गैस प्रवाह और गर्मी वितरण को अनुकूलित करने में मदद करती है, जिससे बड़े और उच्च गुणवत्ता वाले SiC क्रिस्टल की समान वृद्धि में योगदान होता है।