मई 2026 में, NVIDIA ने मानक वेरा रुबिन (1800-2000W TDP) में तरल धातु को पूरी तरह से छोड़ने और बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए उच्च तापीय चालकता ग्राफीन पैड पर स्विच करने के अपने निर्णय को अंतिम रूप दिया; अल्ट्रा हाई-एंड संस्करण (2500-2850W) तरल धातु + माइक्रोचैनल कोल्ड प्लेट के चरम समाधान को बनाए रखेग......
और पढ़ेंसेमीकंडक्टर उद्योग उच्च परिशुद्धता, स्वच्छ प्रसंस्करण वातावरण और अधिक विनिर्माण दक्षता की मांग जारी रखता है। जैसे-जैसे वेफर का आकार बढ़ता है और प्रक्रिया सहनशीलता अधिक से अधिक कठोर होती जाती है, पारंपरिक वेफर होल्डिंग विधियां अक्सर आधुनिक उत्पादन आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए संघर्ष करती हैं। यहीं ......
और पढ़ेंनक़्क़ाशी, या नक़्क़ाशी, सेमीकंडक्टर निर्माण, माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स आईसी विनिर्माण और माइक्रो/नैनो विनिर्माण प्रक्रियाओं में एक महत्वपूर्ण कदम है। यह फोटोलिथोग्राफी से जुड़ी एक प्राथमिक पैटर्निंग प्रक्रिया है। एक संकीर्ण अर्थ में, नक़्क़ाशी अनिवार्य रूप से फोटोलिथोग्राफ़िक नक़्क़ाशी है, जहां पहले फो......
और पढ़ेंसिलिकॉन नाइट्राइड (Si₃N₄) एक संरचनात्मक सिरेमिक सामग्री है जिसकी आंतरिक तापीय चालकता लगभग 320 W/(m·K) है, जिसमें उच्च तापीय चालकता और उत्कृष्ट यांत्रिक गुण हैं। परिवेश के तापमान पर अपनी बेहतर स्थिरता के कारण, Si₃N₄ आधुनिक सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए व्यापक रूप से अपनाया जाने वाला सिरेमिक सब्सट्रेट पैक......
और पढ़ेंहाई-एंड सेमीकंडक्टर डिवाइस निर्माण में, SiO₂ फिल्में आमतौर पर सब्सट्रेट सतह उपचार के लिए ऑक्सीकरण प्रक्रियाओं के माध्यम से बनाई जाती हैं, और उनके सामान्य अनुप्रयोगों में डोपेंट बाधा परतें, सतह इन्सुलेशन परतें, गेट ऑक्साइड परतें, फ़ील्ड ऑक्साइड और बलि ऑक्साइड शामिल हैं। वेफर निर्माण में मुख्य प्रक्रि......
और पढ़ेंप्रौद्योगिकी की प्रगति के साथ, मोबाइल फोन, कंप्यूटर, इलेक्ट्रिक वाहन और रोबोट जैसे स्मार्ट उत्पाद लोगों के जीवन में एकीकृत हो गए हैं। इन उत्पादों में बड़ी संख्या में सेमीकंडक्टर चिप्स होते हैं, और चिप निर्माण के लिए सेमीकंडक्टर उपकरण, जैसे नक़्क़ाशी मशीन, लिथोग्राफी मशीन और आयन इम्प्लांटर की आवश्यकत......
और पढ़ें