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चिप निर्माण में SiGe: एक व्यावसायिक समाचार रिपोर्ट

आधुनिक सेमीकंडक्टर प्रौद्योगिकी के क्षेत्र में उच्च प्रदर्शन और कम बिजली की खपत की मांगों को पूरा करने के लिए, SiGe (सिलिकॉन जर्मेनियम) अपने अद्वितीय भौतिक और विद्युत गुणों के कारण सेमीकंडक्टर चिप निर्माण में पसंद की मिश्रित सामग्री के रूप में उभरा है।

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सेमीकंडक्टर में इकाई: एंगस्ट्रॉम

लंबाई की एक इकाई के रूप में, एंगस्ट्रॉम (Å) एकीकृत सर्किट निर्माण में सर्वव्यापी है। सामग्री की मोटाई के सटीक नियंत्रण से लेकर उपकरण के आकार के लघुकरण और अनुकूलन तक, सेमीकंडक्टर प्रौद्योगिकी के निरंतर विकास को सुनिश्चित करने के लिए एंगस्ट्रॉम स्केल की समझ और अनुप्रयोग मूल है।

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उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड पाउडर का संश्लेषण

उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड पाउडर में असाधारण विस्तृत बैंडगैप विशेषताएं हैं, जो इसे उच्च आवृत्ति, उच्च शक्ति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण के लिए एक आदर्श सामग्री बनाती हैं।

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लगभग $840 मिलियन: ओनसेमी ने एक SiC कंपनी का अधिग्रहण किया

आज, ओनसेमी ने अपनी आधिकारिक वेबसाइट पर घोषणा की कि उसने SiC JFET प्रौद्योगिकी व्यवसाय और Qorvo की सहायक कंपनी का अधिग्रहण करने के लिए Qorvo के साथ एक समझौता किया है।

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ग्राफिटाइजेशन और कार्बोनाइजेशन के बीच क्या अंतर है

निष्कर्ष में, ग्रेफाइटाइजेशन और कार्बोनाइजेशन दोनों औद्योगिक प्रक्रियाएं हैं जिनमें कार्बन या तो एक अभिकारक या उत्पाद के रूप में शामिल होता है। कार्बोनाइजेशन से तात्पर्य कार्बनिक पदार्थों को कार्बन में परिवर्तित करने की प्रक्रिया से है, जबकि ग्रेफाइटाइजेशन में कार्बन को ग्रेफाइट में बदलना शामिल है। ......

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नक़्क़ाशी प्रक्रिया पैरामीटर

चिप निर्माण में नक़्क़ाशी एक महत्वपूर्ण कदम है, जिसका उपयोग सिलिकॉन वेफर्स पर सूक्ष्म सर्किट संरचनाएँ बनाने के लिए किया जाता है।

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