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उद्योग समाचार

टीएसी कोटिंग

शोध परिणामों के अनुसार, TaC कोटिंग ग्रेफाइट घटक जीवन को बढ़ाने, रेडियल तापमान एकरूपता में सुधार करने, SiC उर्ध्वपातन स्टोइकोमेट्री को बनाए रखने, अशुद्धता प्रवासन को दबाने और ऊर्जा खपत को कम करने के लिए एक सुरक्षा और अलगाव परत के रूप में कार्य कर सकती है। अंततः TaC-लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल सेट से SiC ......

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सेमीकंडक्टर में सीवीडी प्रक्रिया क्या है?

रासायनिक वाष्प जमाव सीवीडी वैक्यूम और उच्च तापमान स्थितियों के तहत एक प्रतिक्रिया कक्ष में दो या दो से अधिक गैसीय कच्चे माल की शुरूआत को संदर्भित करता है, जहां गैसीय कच्चे माल एक दूसरे के साथ प्रतिक्रिया करके एक नई सामग्री बनाते हैं, जो वेफर सतह पर जमा होती है।

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फोटोवोल्टिक उद्योग विकास अवलोकन

2027 तक, सौर फोटोवोल्टिक (पीवी) दुनिया की सबसे बड़ी स्थापित क्षमता के रूप में कोयले से आगे निकल जाएगी। सौर पीवी की संचयी स्थापित क्षमता हमारे पूर्वानुमान से लगभग तिगुनी हो गई है, इस अवधि में लगभग 1,500 गीगावाट बढ़ रही है, और 2026 तक प्राकृतिक गैस और 2027 तक कोयले को पार कर जाएगी।

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GaN उद्योग अनुप्रयोग

SiC-आधारित और Si-आधारित GaN के अनुप्रयोग क्षेत्रों को सख्ती से अलग नहीं किया गया है। GaN-ऑन-SiC उपकरणों में, SiC सब्सट्रेट की लागत अपेक्षाकृत अधिक है, और SiC लंबी क्रिस्टल प्रौद्योगिकी की बढ़ती परिपक्वता के साथ, डिवाइस की लागत में और गिरावट आने की उम्मीद है, और इसका उपयोग पावर इलेक्ट्रॉनिक्स के क्षे......

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सेमीकंडक्टर ताप तत्वों के बारे में

सेमीकंडक्टर प्रक्रिया में ताप उपचार आवश्यक और महत्वपूर्ण प्रक्रियाओं में से एक है। थर्मल प्रक्रिया एक वेफर को ऑक्सीकरण/प्रसार/एनीलिंग आदि सहित एक विशिष्ट गैस से भरे वातावरण में रखकर थर्मल ऊर्जा लागू करने की प्रक्रिया है।

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ताइवान की PSMC जापान में 300 मिमी वेफर फैब बनाएगी

ताइवान के पावर सेमीकंडक्टर मैन्युफैक्चरिंग कॉरपोरेशन (पीएसएमसी) ने एसबीआई होल्डिंग्स के सहयोग से जापान में 300 मिमी वेफर फैब बनाने की योजना की घोषणा की है। इस सहयोग का उद्देश्य जापान की घरेलू आईसी (एकीकृत सर्किट) आपूर्ति श्रृंखला को मजबूत करना है, जिसमें एआई एज कंप्यूटिंग और पैकेजिंग प्रौद्योगिकियों......

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