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सीएमपी प्रोसेस कैसे करें

सिलिकॉन वेफर निर्माण की प्रक्रिया में, क्रिस्टल रॉड को सिलिकॉन वेफर्स में काटने के बाद, दर्पण की तरह एकल क्रिस्टल सिलिकॉन वेफर प्राप्त करने के लिए इसे पॉलिश और साफ करने की आवश्यकता होगी।

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सीएमपी प्रक्रिया क्या है

सेमीकंडक्टर निर्माण में, परमाणु-स्तर की समतलता का उपयोग आमतौर पर नैनोमीटर (एनएम) की इकाई के साथ, वेफर की वैश्विक समतलता का वर्णन करने के लिए किया जाता है।

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सूखी नक़्क़ाशी और गीली नक़्क़ाशी के फायदे और नुकसान क्या हैं?

सेमीकंडक्टर निर्माण में नक़्क़ाशी एक आवश्यक प्रक्रिया है। इस प्रक्रिया को दो प्रकारों में वर्गीकृत किया जा सकता है: सूखी नक़्क़ाशी और गीली नक़्क़ाशी। प्रत्येक तकनीक के अपने फायदे और सीमाएँ हैं, जिससे उनके बीच के अंतर को समझना महत्वपूर्ण हो जाता है। तो, आप सर्वोत्तम नक़्क़ाशी विधि कैसे चुनते हैं? सूख......

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SiC वृद्धि के लिए मुख्य सामग्री: टैंटलम कार्बाइड कोटिंग

वर्तमान तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक मुख्य रूप से सिलिकॉन कार्बाइड पर आधारित हैं, जिसमें डिवाइस लागत का 47% सब्सट्रेट और 23% एपिटेक्सी का होता है, जो कुल मिलाकर लगभग 70% है और SiC डिवाइस निर्माण उद्योग का सबसे महत्वपूर्ण हिस्सा है।

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आयन प्रत्यारोपण और प्रसार प्रक्रिया

आयन प्रत्यारोपण सेमीकंडक्टर डोपिंग की एक विधि है और सेमीकंडक्टर निर्माण में मुख्य प्रक्रियाओं में से एक है।

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SiC और GaN पावर उपकरणों में आयन प्रत्यारोपण प्रौद्योगिकी की चुनौतियाँ

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) और गैलियम नाइट्राइड (GaN) जैसे वाइड बैंडगैप (WBG) सेमीकंडक्टर से बिजली इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में तेजी से महत्वपूर्ण भूमिका निभाने की उम्मीद है। वे पारंपरिक सिलिकॉन (Si) उपकरणों की तुलना में कई फायदे प्रदान करते हैं, जिनमें उच्च दक्षता, बिजली घनत्व और स्विचिंग आवृत्ति शामिल हैं।......

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