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सिलिकॉन वेफर

सिलिकॉन सामग्री कुछ अर्धचालक विद्युत गुणों और भौतिक स्थिरता के साथ एक ठोस सामग्री है, और बाद की एकीकृत सर्किट निर्माण प्रक्रिया के लिए सब्सट्रेट समर्थन प्रदान करती है। यह सिलिकॉन-आधारित एकीकृत सर्किट के लिए एक महत्वपूर्ण सामग्री है। दुनिया में 95% से अधिक अर्धचालक उपकरण और 90% से अधिक एकीकृत सर्किट ......

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SiC नावें बनाम क्वार्ट्ज नावें: सेमीकंडक्टर विनिर्माण में वर्तमान उपयोग और भविष्य के रुझान

यह लेख सेमीकंडक्टर उद्योग के भीतर क्वार्ट्ज नौकाओं के संबंध में सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) नौकाओं के उपयोग और भविष्य के प्रक्षेप पथ पर प्रकाश डालता है, विशेष रूप से सौर सेल विनिर्माण में उनके अनुप्रयोगों पर ध्यान केंद्रित करता है।

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SiC काटना

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) अपने उत्कृष्ट भौतिक और रासायनिक गुणों के कारण सेमीकंडक्टर उद्योग में अत्यधिक पसंद किया जाता है। हालाँकि, SiC की उच्च कठोरता और भंगुरता इसके प्रसंस्करण में काफी चुनौतियाँ पैदा करती है।

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गैलियम नाइट्राइड एपिटैक्सियल वेफर्स: निर्माण प्रक्रिया का एक परिचय

गैलियम नाइट्राइड (GaN) एपिटैक्सियल वेफर वृद्धि एक जटिल प्रक्रिया है, जिसमें अक्सर दो-चरणीय विधि का उपयोग किया जाता है। इस विधि में कई महत्वपूर्ण चरण शामिल हैं, जिनमें उच्च तापमान बेकिंग, बफर परत वृद्धि, पुन: क्रिस्टलीकरण और एनीलिंग शामिल हैं। इन चरणों में तापमान को सावधानीपूर्वक नियंत्रित करके, दो-च......

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एपिटैक्सियल और डिफ्यूज्ड वेफर्स के बीच क्या अंतर है?

एपिटैक्सियल और डिफ्यूज्ड वेफर्स दोनों सेमीकंडक्टर निर्माण में आवश्यक सामग्री हैं, लेकिन वे अपनी निर्माण प्रक्रियाओं और लक्ष्य अनुप्रयोगों में काफी भिन्न हैं। यह लेख इन वेफ़र प्रकारों के बीच प्रमुख अंतरों पर प्रकाश डालता है।

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सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट कोर प्रक्रिया प्रवाह

सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट एक मिश्रित अर्धचालक एकल क्रिस्टल सामग्री है जो दो तत्वों, कार्बन और सिलिकॉन से बना है। इसमें बड़े बैंडगैप, उच्च तापीय चालकता, उच्च क्रिटिकल ब्रेकडाउन फ़ील्ड ताकत और उच्च इलेक्ट्रॉन संतृप्ति बहाव दर की विशेषताएं हैं।

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