सेमीकंडक्टर उद्योग में सेमीकोरेक्स एक विश्वसनीय नाम है, जो सेमीकंडक्टर के लिए उच्च गुणवत्ता वाला एमओसीवीडी प्लैनेट ससेप्टर प्रदान करता है। हमारे उत्पाद को सेमीकंडक्टर निर्माताओं की विशिष्ट आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किया गया है जो एक वाहक की तलाश कर रहे हैं जो उत्कृष्ट प्रदर्शन, स्थिरता और स्थायित्व प्रदान कर सके। हमारे उत्पाद के बारे में अधिक जानने के लिए आज हमसे संपर्क करें और हम आपकी सेमीकंडक्टर निर्माण आवश्यकताओं के साथ आपकी मदद कैसे कर सकते हैं।
सेमीकंडक्टर के लिए हमारे MOCVD प्लैनेट ससेप्टर में उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध है, जो 1600 डिग्री सेल्सियस तक उच्च तापमान पर इसकी स्थिरता सुनिश्चित करता है। यह उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के तहत सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा अत्यधिक शुद्ध भी है, उत्पाद की एकरूपता और स्थिरता सुनिश्चित करता है, यहां तक कि थर्मल प्रोफाइल और लैमिनार गैस प्रवाह पैटर्न भी।
सेमीकंडक्टर के लिए हमारे MOCVD प्लैनेट ससेप्टर के बारे में अधिक जानने के लिए आज ही हमसे संपर्क करें।
सेमीकंडक्टर के लिए MOCVD प्लैनेट ससेप्टर के पैरामीटर
सीवीडी-एसआईसी कोटिंग के मुख्य विनिर्देश |
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एसआईसी-सीवीडी गुण |
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क्रिस्टल की संरचना |
एफसीसी ² चरण |
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घनत्व |
जी / सेमी ³ |
3.21 |
कठोरता |
विकर्स कठोरता |
2500 |
अनाज आकार |
मैं |
2 ~ 10 |
रासायनिक शुद्धता |
% |
99.99995 |
ताप की गुंजाइश |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
उच्च बनाने की क्रिया तापमान |
℃ |
2700 |
फेलेक्सुरल स्ट्रेंथ |
एमपीए (आरटी 4-पॉइंट) |
415 |
यंग का मापांक |
Gpa (4pt बेंड, 1300â) |
430 |
थर्मल विस्तार (सीटीई) |
10-6K -1 |
4.5 |
ऊष्मीय चालकता |
(डब्ल्यू / एमके) |
300 |
MOCVD के लिए SiC कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर की विशेषताएं
- छीलने से बचें और पूरी सतह पर कोटिंग सुनिश्चित करें
उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस तक उच्च तापमान पर स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के तहत सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा बनाई गई।
संक्षारण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, घनी सतह और महीन कण।
संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।
- सर्वोत्तम लामिनार गैस प्रवाह पैटर्न प्राप्त करें
- थर्मल प्रोफाइल की गारंटी समता
- किसी भी संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकें