TaC कोटिंग ग्रेफाइट एक मालिकाना रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) प्रक्रिया द्वारा टैंटलम कार्बाइड की एक महीन परत के साथ उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट सब्सट्रेट की सतह को कोटिंग करके बनाया जाता है।
टैंटलम कार्बाइड (TaC) एक यौगिक है जिसमें टैंटलम और कार्बन होता है। इसमें धात्विक विद्युत चालकता और असाधारण रूप से उच्च गलनांक होता है, जो इसे एक दुर्दम्य सिरेमिक सामग्री बनाता है जो अपनी ताकत, कठोरता और गर्मी और पहनने के प्रतिरोध के लिए जाना जाता है। टैंटलम कार्बाइड का गलनांक शुद्धता के आधार पर लगभग 3880°C तक पहुँच जाता है और बाइनरी यौगिकों में यह सबसे अधिक गलनांक में से एक है। यह इसे एक आकर्षक विकल्प बनाता है जब उच्च तापमान की मांग एमओसीवीडी और एलपीई जैसे यौगिक अर्धचालक एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं में उपयोग की जाने वाली प्रदर्शन क्षमताओं से अधिक हो जाती है।
सेमीकोरेक्स TaC कोटिंग का सामग्री डेटा
परियोजनाओं |
पैरामीटर |
घनत्व |
14.3 (ग्राम/सेमी³) |
उत्सर्जन |
0.3 |
सीटीई (×10-6/के) |
6.3 |
कठोरता (एचके) |
2000 |
प्रतिरोध (ओम-सेमी) |
1×10-5 |
तापीय स्थिरता |
<2500℃ |
ग्रेफाइट आयाम परिवर्तन |
-10~-20um (संदर्भ मान) |
कोटिंग की मोटाई |
≥20um विशिष्ट मान(35um±10um) |
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उपरोक्त विशिष्ट मान हैं |
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सीलिंग घटकों पर लागू सेमीकोरेक्स टीएसी-लेपित सील रिंग सेमीकंडक्टर निर्माण के मांग वाले वातावरण में असाधारण प्रदर्शन लाभ प्रदान करती है। TaC कोटिंग रासायनिक प्रतिरोध, अत्यधिक तापमान और यांत्रिक घिसाव से संबंधित महत्वपूर्ण चुनौतियों का समाधान करती है, जिससे उच्च प्रक्रिया उपज, उपकरण अपटाइम में वृद्धि और अंततः, कम विनिर्माण लागत सक्षम होती है। सेमीकोरेक्स में हम उच्च-प्रदर्शन वाले टीएसी-लेपित सील रिंग के निर्माण और आपूर्ति के लिए समर्पित हैं जो लागत-दक्षता के साथ गुणवत्ता को जोड़ता है।**
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