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एपिटैक्सियल परतें: उन्नत सेमीकंडक्टर उपकरणों की नींव

सेमीकंडक्टर उद्योग में, एपिटैक्सियल परतें वेफर सब्सट्रेट के ऊपर विशिष्ट एकल-क्रिस्टल पतली फिल्में बनाकर एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाती हैं, जिन्हें सामूहिक रूप से एपिटैक्सियल वेफर्स के रूप में जाना जाता है। विशेष रूप से, प्रवाहकीय SiC सब्सट्रेट्स पर उगाई गई सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एपिटैक्सियल परतें समरू......

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SiC क्रिस्टल वृद्धि के लिए झरझरा ग्रेफाइट

वर्तमान में, अधिकांश SiC सब्सट्रेट निर्माता झरझरा ग्रेफाइट सिलेंडर के साथ एक नए क्रूसिबल थर्मल फील्ड प्रक्रिया डिजाइन का उपयोग करते हैं: ग्रेफाइट क्रूसिबल दीवार और झरझरा ग्रेफाइट सिलेंडर के बीच उच्च शुद्धता वाले SiC कण कच्चे माल को रखते हुए, पूरे क्रूसिबल को गहरा करते हुए और क्रूसिबल व्यास को बढ़ाते......

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सेमीकंडक्टर उपकरणों में एपिटैक्सियल परतों की महत्वपूर्ण भूमिका

एपिटैक्सियल वृद्धि एक सब्सट्रेट पर क्रिस्टलोग्राफिक रूप से सुव्यवस्थित मोनोक्रिस्टलाइन परत बढ़ने की प्रक्रिया को संदर्भित करती है। सामान्यतया, एपिटैक्सियल वृद्धि में एकल-क्रिस्टल सब्सट्रेट पर एक क्रिस्टल परत की खेती शामिल होती है, जिसमें विकसित परत मूल सब्सट्रेट के समान क्रिस्टलोग्राफिक अभिविन्यास स......

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GaN को जानना

हाल ही में, सेमीकंडक्टर उद्योग ने गैलियम नाइट्राइड (GaN) तकनीक पर अधिक ध्यान देना जारी रखा है। अपने उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉनिक गुणों के कारण, गैलियम नाइट्राइड उपकरणों का कई उच्च-तकनीकी क्षेत्रों में महत्वपूर्ण अनुप्रयोग है:

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सीवीडी संचालन में प्लाज्मा प्रक्रियाएं

रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) एक प्रक्रिया प्रौद्योगिकी को संदर्भित करता है जहां विभिन्न आंशिक दबावों पर कई गैसीय अभिकारक विशिष्ट तापमान और दबाव स्थितियों के तहत रासायनिक प्रतिक्रिया से गुजरते हैं। परिणामस्वरूप ठोस पदार्थ सब्सट्रेट सामग्री की सतह पर जमा हो जाता है, जिससे वांछित पतली फिल्म प्राप्त होत......

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सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावर डिवाइस मार्केट का उछाल और आउटलुक

जैसे-जैसे इलेक्ट्रिक वाहनों की वैश्विक स्वीकार्यता धीरे-धीरे बढ़ रही है, सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) को आगामी दशक में नए विकास के अवसरों का सामना करना पड़ेगा। यह अनुमान लगाया गया है कि ऑटोमोटिव उद्योग में पावर सेमीकंडक्टर्स के निर्माता और ऑपरेटर इस क्षेत्र की मूल्य श्रृंखला के निर्माण में अधिक सक्रिय रूप......

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