इन्फिनियन ने दुनिया का पहला 300 मिमी पावर GaN वेफर का अनावरण किया

हाल ही में, Infineon Technologies ने दुनिया की पहली 300 मिमी पावर गैलियम नाइट्राइड (GaN) वेफर तकनीक के सफल विकास की घोषणा की। यह उन्हें इस अभूतपूर्व तकनीक में महारत हासिल करने और मौजूदा बड़े पैमाने, उच्च क्षमता वाले विनिर्माण वातावरण में बड़े पैमाने पर उत्पादन हासिल करने वाली पहली कंपनी बनाता है। यह नवाचार GaN-आधारित पावर सेमीकंडक्टर बाजार में एक महत्वपूर्ण प्रगति का प्रतीक है।

300 मिमी प्रौद्योगिकी की तुलना 200 मिमी प्रौद्योगिकी से कैसे की जाती है?

200 मिमी प्रौद्योगिकी की तुलना में, 300 मिमी वेफर्स को नियोजित करने से प्रति वेफर 2.3 गुना अधिक GaN चिप्स का उत्पादन होता है, जिससे उत्पादन क्षमता और आउटपुट में काफी वृद्धि होती है। यह सफलता न केवल बिजली प्रणालियों के क्षेत्र में इन्फिनियन के नेतृत्व को मजबूत करती है बल्कि GaN प्रौद्योगिकी के तेजी से विकास को भी तेज करती है।

Infineon के CEO ने इस उपलब्धि के बारे में क्या कहा?

इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज के सीईओ जोचेन हानेबेक ने कहा, “यह उल्लेखनीय उपलब्धि नवाचार में हमारी मजबूत ताकत को दर्शाती है और हमारी वैश्विक टीम के अथक प्रयासों का प्रमाण है। हमारा दृढ़ विश्वास है कि यह तकनीकी सफलता उद्योग के मानदंडों को नया आकार देगी और GaN प्रौद्योगिकी की पूरी क्षमता को उजागर करेगी। GaN सिस्टम्स के अधिग्रहण के लगभग एक साल बाद, हम एक बार फिर तेजी से बढ़ते GaN बाजार में नेतृत्व करने के लिए अपना दृढ़ संकल्प प्रदर्शित कर रहे हैं। बिजली प्रणालियों में अग्रणी के रूप में, इन्फिनियन ने तीन प्रमुख सामग्रियों में प्रतिस्पर्धात्मक बढ़त हासिल की है: सिलिकॉन, सिलिकॉन कार्बाइड और GaN।

इन्फिनियन के सीईओ जोचेन हानेबेक के पास मौजूदा और स्केलेबल उच्च-मात्रा विनिर्माण वातावरण में उत्पादित दुनिया के पहले 300 मिमी GaN पावर वेफर्स में से एक है।

300 मिमी GaN प्रौद्योगिकी लाभदायक क्यों है?

300 मिमी GaN तकनीक का एक महत्वपूर्ण लाभ यह है कि इसे मौजूदा 300 मिमी सिलिकॉन विनिर्माण उपकरण का उपयोग करके उत्पादित किया जा सकता है, क्योंकि GaN और सिलिकॉन विनिर्माण प्रक्रियाओं में समानताएं साझा करते हैं। यह सुविधा Infineon को अपनी वर्तमान उत्पादन प्रणालियों में GaN तकनीक को निर्बाध रूप से एकीकृत करने की अनुमति देती है, जिससे प्रौद्योगिकी को अपनाने और अनुप्रयोग में तेजी आती है।

Infineon ने 300mm GaN वेफर्स का सफलतापूर्वक उत्पादन कहाँ किया है?

वर्तमान में, Infineon ने ऑस्ट्रिया के विलाच में अपने पावर प्लांट में मौजूदा 300 मिमी सिलिकॉन उत्पादन लाइनों पर 300 मिमी GaN वेफर्स का सफलतापूर्वक निर्माण किया है। 200 मिमी GaN प्रौद्योगिकी और 300 मिमी सिलिकॉन उत्पादन की स्थापित नींव पर निर्माण करते हुए, कंपनी ने अपनी तकनीकी और उत्पादन क्षमताओं का और विस्तार किया है।

इस सफलता का भविष्य के लिए क्या मतलब है?

यह सफलता न केवल नवाचार और बड़े पैमाने पर उत्पादन क्षमताओं में इन्फिनियन की ताकत को उजागर करती है, बल्कि पावर सेमीकंडक्टर उद्योग के भविष्य के विकास के लिए एक ठोस आधार भी तैयार करती है। जैसे-जैसे GaN तकनीक का विकास जारी है, Infineon बाजार के विकास को आगे बढ़ाता रहेगा, वैश्विक सेमीकंडक्टर उद्योग में अपनी नेतृत्व स्थिति को और बढ़ाएगा।**