एन-प्रकार एसआईसी सब्सट्रेट

अर्ध-प्रकारSic सब्सट्रेटउच्च-अंत वाले वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्री के आधार पर विकसित उच्च-अंत वेफर उत्पाद हैं, जो उच्च तापमान, उच्च-आवृत्ति, उच्च-शक्ति और उच्च दक्षता वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की कड़े आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। उन्नत क्रिस्टल विकास प्रौद्योगिकी और सटीक प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी के माध्यम से, हमारे एन-टाइप एसआईसी सब्सट्रेट में उत्कृष्ट विद्युत गुण, थर्मल स्थिरता और सतह की गुणवत्ता होती है, जो बिजली उपकरणों के निर्माण के लिए आदर्श बुनियादी सामग्री प्रदान करती है (जैसे कि एमओएसएफईटी, डायोड), आरएफ उपकरणों और ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणों, और नई ऊर्जा, इलेक्ट्रिक वाहनों, 5 जी संचार और औद्योगिक वाहनों में सफलता को बढ़ावा देना।

सिलिकॉन-आधारित सेमीकंडक्टर्स की तुलना में, सिलिकॉन कार्बाइड और गैलियम नाइट्राइड द्वारा प्रतिनिधित्व किए गए व्यापक बैंडगैप अर्धचालकों को सामग्री के अंत से डिवाइस के अंत तक उत्कृष्ट प्रदर्शन के लाभ हैं। उनके पास उच्च आवृत्ति, उच्च दक्षता, उच्च शक्ति, उच्च वोल्टेज प्रतिरोध और उच्च तापमान प्रतिरोध की विशेषताएं हैं। वे भविष्य में सेमीकंडक्टर उद्योग के विकास के लिए एक महत्वपूर्ण दिशा हैं। उनमें से, एन-टाइप एसआईसी सब्सट्रेट अद्वितीय भौतिक और रासायनिक गुणों को प्रदर्शित करता है। उच्च बैंडगैप की चौड़ाई, उच्च ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड स्ट्रेंथ, उच्च इलेक्ट्रॉन संतृप्ति बहाव दर और सिलिकॉन कार्बाइड की उच्च थर्मल चालकता इसे पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों जैसे अनुप्रयोगों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है। ये विशेषताएं सिलिकॉन कार्बाइड को उच्च-प्रदर्शन वाले एप्लिकेशन फ़ील्ड जैसे ईवी और फोटोवोल्टिक्स में महत्वपूर्ण लाभ देती हैं, विशेष रूप से स्थिरता और स्थायित्व के संदर्भ में। एन-टाइप एसआईसी सबस्ट्रेट्स में पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस, रेडियो फ्रीक्वेंसी सेमीकंडक्टर डिवाइस और इमर्जिंग एप्लिकेशन फ़ील्ड में व्यापक बाजार अनुप्रयोग क्षमता होती है। SIC सब्सट्रेट का उपयोग व्यापक रूप से पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस, रेडियो फ्रीक्वेंसी सेमीकंडक्टर डिवाइस, और डाउनस्ट्रीम उत्पादों जैसे ऑप्टिकल वेवगाइड्स, टीएफ-सोवा फिल्टर और हीट डिसिपेशन cmponents में किया जा सकता है। मुख्य अनुप्रयोग उद्योगों में ईवी, फोटोवोल्टिक और एनर्जी स्टोरेज सिस्टम, पावर ग्रिड, रेल परिवहन, संचार, एआई चश्मा, स्मार्ट फोन, अर्धचालक लेजर, आदि शामिल हैं।

पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस सेमीकंडक्टर डिवाइस हैं जिनका उपयोग पावर इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों में स्विच या रेक्टिफायर के रूप में किया जाता है। पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों में मुख्य रूप से पावर डायोड, पावर ट्रायड्स, थाइरिस्टर्स, मोसफेट्स, आईजीबीटीएस, आदि शामिल हैं।

क्रूज रेंज, चार्जिंग स्पीड और ड्राइविंग अनुभव ईवी के लिए महत्वपूर्ण कारक हैं। पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों जैसे कि सिलिकॉन-आधारित आईजीबीटी, एन-टाइप एसआईसी सब्सट्रेट पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों के साथ तुलना में कम ऑन-प्रतिरोध, उच्च स्विचिंग आवृत्ति, उच्च गर्मी प्रतिरोध और उच्च तापीय चालकता जैसे महत्वपूर्ण लाभ हैं। ये फायदे बिजली रूपांतरण लिंक में ऊर्जा हानि को प्रभावी ढंग से कम कर सकते हैं; निष्क्रिय घटकों की मात्रा को कम करें जैसे इंडक्टर्स और कैपेसिटर, पावर मॉड्यूल के वजन और लागत को कम करें; गर्मी अपव्यय आवश्यकताओं को कम करें, थर्मल प्रबंधन प्रणालियों को सरल बनाएं, और मोटर नियंत्रण की गतिशील प्रतिक्रिया में सुधार करें। जिससे क्रूज़िंग रेंज में सुधार, चार्जिंग स्पीड, और ईवी के ड्राइविंग अनुभव में सुधार हुआ। सिलिकॉन कार्बाइड पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस को ईवी के विभिन्न घटकों पर लागू किया जा सकता है, जिसमें मोटर ड्राइव, ऑन-बोर्ड चार्जर्स (ओबीसी), डीसी/डीसी कन्वर्टर्स, एयर कंडीशनिंग कंप्रेशर्स, हाई-वोल्टेज पीटीसी हीटर और प्री-चार्जिंग रिले शामिल हैं। वर्तमान में, सिलिकॉन कार्बाइड पावर डिवाइस का उपयोग मुख्य रूप से मोटर ड्राइव, ओबीसी और डीसी/डीसी कन्वर्टर्स में किया जाता है, धीरे-धीरे पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित आईजीबीटी पावर मॉड्यूल की जगह: मोटर ड्राइव के संदर्भ में, सिलिकॉन कार्बाइड पावर मॉड्यूल पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित आईजीबीटी को बदलते हैं, जो 70%से 90%से अधिक उत्पादन को कम कर सकता है। ओबीसी के संदर्भ में, पावर मॉड्यूल बैटरी को चार्ज करने के लिए बाहरी एसी पावर को डीसी पावर में बदल सकता है। सिलिकॉन कार्बाइड पावर मॉड्यूल नुकसान चार्जिंग को 40%तक कम कर सकता है, तेजी से चार्जिंग गति प्राप्त कर सकता है, और उपयोगकर्ता अनुभव में सुधार कर सकता है। डीसी/डीसी कन्वर्टर्स के संदर्भ में, इसका कार्य ऑन-बोर्ड डिवाइसों द्वारा उपयोग के लिए उच्च-वोल्टेज बैटरी की डीसी पावर को कम-वोल्टेज डीसी पावर में बदलना है। सिलिकॉन कार्बाइड पावर मॉड्यूल हीट को कम करके और ऊर्जा हानि को 80% से 90% तक कम करके दक्षता में सुधार करता है, जिससे वाहन रेंज पर प्रभाव को कम किया जाता है।