4" 6" उच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग SiC पिंड

सेमीकोरेक्स 4 इंच और 6 इंच के साथ उच्च शुद्धता वाला सेमी-इंसुलेटिंग SiC इनगॉट प्रदान करता है। हम कई वर्षों से वेफर्स के निर्माता और आपूर्तिकर्ता रहे हैं। हमारे 4" 6" उच्च शुद्धता वाले सेमी-इंसुलेटिंग SiC इनगॉट की कीमत में अच्छी बढ़त है और यह अधिकांश यूरोपीय और अमेरिकी बाजारों को कवर करता है। हम चीन में आपका दीर्घकालिक भागीदार बनने की आशा रखते हैं।

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उत्पाद वर्णन

हमारे 4" 6" उच्च शुद्धता वाले सेमी-इंसुलेटिंग SiC इनगॉट की कीमत में अच्छी बढ़त है और यह अधिकांश यूरोपीय और अमेरिकी बाजारों को कवर करता है। हम चीन में आपका दीर्घकालिक भागीदार बनने की आशा रखते हैं।

4 इंच सेमी-इंसुलेटिंग SiC इनगट विशिष्टता
सामान	उत्पादन ग्रेड	डमी ग्रेड
बहुप्रकार	4
प्रतिरोधकता/ओम·सेमी	वह
व्यास	100.25±0.25 मिमी
मोटाई	≥15 मिमी
सतह अभिविन्यास त्रुटि	0±0.2°
प्राथमिक समतल अभिविन्यास	[1- 100]±5.0°
प्राथमिक सपाट लंबाई	32.5±1.5 मिमी
द्वितीयक फ्लैट	प्राथमिक ±5.0° से 90.0°CW, सिलिकॉन ऊपर की ओर
द्वितीयक समतल लंबाई	17±1.5 मिमी
माइक्रोपाइप घनत्व	≤1 ea/cm2	≤10 ea/cm2
किनारे की दरारें	≤3 of，≤1mm/ea	≤5 of，≤3mm/ea
बहुरूपी क्षेत्र	कोई नहीं	≤5% क्षेत्र
किनारे के इंडेंट	≤3 ea，≤1mm चौड़ाई और गहराई	≤5 ea，≤2mm चौड़ाई और गहराई
लेबल	सी-चेहरा
पैकेजिंग	यूनिट-पिंड कैसेट, वैक्यूम पैकेजिंग

6 इंच सेमी-इंसुलेटिंग SiC इनगट विशिष्टता
सामान	उत्पादन ग्रेड	डमी ग्रेड
बहुप्रकार	4
प्रतिरोधकता/ओम·सेमी	वह
व्यास	150.25±0.25 मिमी
मोटाई	≥10 मिमी
सतह अभिविन्यास त्रुटि	0±0.25°
पायदान अभिविन्यास	[1- 100]±5.0°
पायदान की गहराई	1~1.25 मिमी
माइक्रोपाइप घनत्व	≤1 ea/cm2	≤10 ea/cm2
किनारे की दरारें	≤3 of，≤1mm/ea	≤5 of，≤3mm/ea
बहुरूपी क्षेत्र	कोई नहीं	≤5% क्षेत्र
किनारे के इंडेंट	≤3 ea，≤1mm चौड़ाई और गहराई	≤5 ea，≤2mm चौड़ाई और गहराई
लेबल	सी-चेहरा
पैकेजिंग	यूनिट-पिंड कैसेट, वैक्यूम पैकेजिंग