डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर

एलईडी के निर्माण के लिए डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल रिसेप्टर्स आवश्यक हैं। सेमीकोरेक्स सिलिकॉन कार्बाइड (SiC)-लेपित प्लेट उच्च गुणवत्ता वाले गहरे यूवी एलईडी वेफर्स के निर्माण को अधिक कुशल बनाती है। SiC कोटिंग एक सघन, पहनने के लिए प्रतिरोधी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटिंग है। इसमें उच्च संक्षारण और गर्मी प्रतिरोधी गुणों के साथ-साथ उत्कृष्ट तापीय चालकता भी है। हम रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) प्रक्रिया का उपयोग करके ग्रेफाइट पर पतली परतों में SiC लगाते हैं।
इससे कोई फर्क नहीं पड़ता कि आपकी विशिष्ट आवश्यकताएं क्या हो सकती हैं, हम एमओसीवीडी एपिटेक्सी के साथ-साथ सेमीकंडक्टर और एलईडी उद्योगों के लिए सर्वोत्तम समाधान की पहचान करेंगे।
हमारे डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर को थर्मल प्रोफाइल की समरूपता सुनिश्चित करते हुए सर्वोत्तम लैमिनर गैस प्रवाह पैटर्न प्राप्त करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह किसी भी संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकने में मदद करता है, जिससे वेफर चिप पर उच्च गुणवत्ता वाले एपिटैक्सियल विकास सुनिश्चित होता है।
हमारे डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर के बारे में अधिक जानने के लिए आज ही हमसे संपर्क करें।

डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर के पैरामीटर

डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर की विशेषताएं

- कम तरंग दैर्ध्य विचलन और उच्च चिप पैदावार
- ग्रेफाइट सब्सट्रेट और सिलिकॉन कार्बाइड परत दोनों में उच्च तापीय चालकता और उत्कृष्ट ताप वितरण गुण होते हैं।
- सख्त आयामी सहनशीलता से उत्पाद की उपज अधिक होती है और लागत कम होती है
- छीलने से बचें और पूरी सतह पर कोटिंग सुनिश्चित करें
उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस तक उच्च तापमान पर स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के तहत सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा बनाई गई।
संक्षारण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, घनी सतह और महीन कण।
संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।