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डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर
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डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर

सेमीकोरेक्स चीन में सिलिकॉन कार्बाइड कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर का बड़े पैमाने पर निर्माता और आपूर्तिकर्ता है। हम कई वर्षों से डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर के निर्माता और आपूर्तिकर्ता हैं। हमारे उत्पादों का अच्छा मूल्य लाभ है और अधिकांश यूरोपीय और अमेरिकी बाजारों को कवर करता है। हम चीन में आपके दीर्घकालिक साझेदार बनने की आशा करते हैं।

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उत्पाद वर्णन

एलईडी के निर्माण के लिए डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर्स आवश्यक हैं। सेमीकोरेक्स सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) -कोटेड प्लेट उच्च गुणवत्ता वाले गहरे यूवी एलईडी वेफर्स के निर्माण को और अधिक कुशल बनाती है। SiC कोटिंग एक सघन, पहनने के लिए प्रतिरोधी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटिंग है। इसमें उच्च संक्षारण और गर्मी प्रतिरोध गुण और साथ ही उत्कृष्ट तापीय चालकता है। हम रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) प्रक्रिया का उपयोग करके ग्रेफाइट पर पतली परतों में SiC लगाते हैं।
कोई फर्क नहीं पड़ता कि आपकी विशिष्ट आवश्यकताएं क्या हो सकती हैं, हम MOCVD एपिटॉक्सी के साथ-साथ सेमीकंडक्टर और एलईडी उद्योगों के लिए सर्वोत्तम समाधान की पहचान करेंगे।
हमारे डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर को थर्मल प्रोफाइल की समता सुनिश्चित करने के लिए सर्वश्रेष्ठ लैमिनार गैस प्रवाह पैटर्न प्राप्त करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह किसी भी संदूषण या अशुद्धियों के प्रसार को रोकने में मदद करता है, वेफर चिप पर उच्च गुणवत्ता वाले एपिटैक्सियल विकास को सुनिश्चित करता है।
हमारे डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर के बारे में अधिक जानने के लिए आज हमसे संपर्क करें।


डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर के पैरामीटर

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग के मुख्य विनिर्देश

सीआईसी-सीवीडी गुण

क्रिस्टल की संरचना

एफसीसी ² चरण

घनत्व

जी / सेमी ³

3.21

कठोरता

विकर्स कठोरता

2500

अनाज आकार

मैं

2 ~ 10

रासायनिक शुद्धता

%

99.99995

ताप की गुंजाइश

J·kg-1 ·K-1

640

उच्च बनाने की क्रिया तापमान

2700

फेलेक्सुरल स्ट्रेंथ

एमपीए (आरटी 4-पॉइंट)

415

यंग का मापांक

Gpa (4pt बेंड, 1300â)

430

थर्मल विस्तार (सीटीई)

10-6K -1

4.5

ऊष्मीय चालकता

(डब्ल्यू / एमके)

300


डीप-यूवी एलईडी एपिटैक्सियल ससेप्टर की विशेषताएं

- कम तरंग दैर्ध्य विचलन और उच्च चिप पैदावार
- दोनों ग्रेफाइट सब्सट्रेट और सिलिकॉन कार्बाइड परत में उच्च तापीय चालकता और उत्कृष्ट गर्मी वितरण गुण होते हैं।
- तंग आयामी सहनशीलता उच्च उत्पाद उपज और कम लागत की ओर ले जाती है
- छीलने से बचें और पूरी सतह पर कोटिंग सुनिश्चित करें
उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस तक उच्च तापमान पर स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के तहत सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा बनाई गई।
संक्षारण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, घनी सतह और महीन कण।
संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।




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