3C-SiC वेफर सब्सट्रेट

3C-SiC (क्यूबिक सिलिकॉन कार्बाइड) वेफर सब्सट्रेट एक विशिष्ट प्रकार की सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल संरचना को संदर्भित करता है जिसका उपयोग आमतौर पर सेमीकंडक्टर डिवाइस निर्माण के क्षेत्र में सब्सट्रेट सामग्री के रूप में किया जाता है। यह अपने बेहतर भौतिक गुणों के कारण अन्य सिलिकॉन-आधारित सब्सट्रेट्स, जैसे सिलिकॉन (Si) या सिलिकॉन जर्मेनियम (SiGe) का एक विकल्प है।

उच्च तापीय चालकता के साथ 3C-SiC वेफर सब्सट्रेट, जो हीरे के बाद दूसरे स्थान पर है। सिलिकॉन कार्बाइड अपनी उत्कृष्ट तापीय चालकता, उच्च ब्रेकडाउन विद्युत क्षेत्र की ताकत और विस्तृत बैंडगैप के लिए जाना जाता है, जो इसे पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, उच्च तापमान उपकरणों और उच्च आवृत्ति उपकरणों में अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।