TaC कोटिंग अपर हाफमून

सेमीकोरेक्स टीएसी कोटिंग अपर हाफमून एक विशेष रूप से डिज़ाइन किया गया घटक है जो सेमीकंडक्टर उत्पादन के क्षेत्र में उच्च दक्षता वाली एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं को प्राप्त करने के लिए तैयार किया गया है। टीएसी कोटिंग अपर हाफमून पीस को एपिटैक्सियल रिएक्टरों में मूल रूप से फिट करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो चरम स्थितियों में असाधारण स्थायित्व और स्थिरता प्रदान करता है।

TaC कोटिंग उच्च तापमान के लिए उत्कृष्ट प्रतिरोध प्रदान करती है, जो TaC कोटिंग अपर हाफमून को एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं के मांग वाले थर्मल वातावरण के लिए आदर्श बनाती है। यह निरंतर प्रदर्शन और दीर्घायु सुनिश्चित करता है, प्रतिस्थापन और डाउनटाइम की आवृत्ति को कम करता है। TaC कोटिंग अपर हाफमून संक्षारक गैसों और रसायनों का सामना कर सकती है जो आमतौर पर एपिटैक्सियल विकास में उपयोग की जाती हैं, घटक की अखंडता की रक्षा करती हैं और प्रक्रिया की शुद्धता बनाए रखती हैं।

चिकनी और समान TaC कोटिंग दोषों और अशुद्धियों को कम करके एपिटैक्सियल परतों की गुणवत्ता को बढ़ाती है। यह उच्च उपज दर और अर्धचालक उपकरणों के बेहतर इलेक्ट्रॉनिक गुणों में योगदान देता है। थर्मल और रासायनिक प्रतिरोध का संयोजन टीएसी कोटिंग अपर हाफमून के परिचालन जीवन को बढ़ाता है, जो सेमीकंडक्टर निर्माण में उच्च थ्रूपुट और दक्षता बनाए रखने के लिए एक लागत प्रभावी समाधान प्रदान करता है।

अनुप्रयोग:

उच्च तापमान रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) प्रक्रियाएं

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) और गैलियम नाइट्राइड (GaN) एपिटैक्सी

तकनीकी निर्देश:

सामग्री: टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग

तापमान रेंज: 2200°C तक

रासायनिक प्रतिरोध: एचएफ, एचसीएल और अन्य संक्षारक गैसों के खिलाफ उत्कृष्ट

आयाम: विशिष्ट रिएक्टर मॉडल में फिट होने के लिए अनुकूलन

सेमीकोरेक्स टीएसी कोटिंग अपर हाफमून बेहतर दक्षता और कम संदूषण जोखिमों के साथ उच्च गुणवत्ता वाले एपिटैक्सियल परतों को प्राप्त करने के लिए एक आवश्यक घटक है। इसकी उन्नत सामग्री गुण और सटीक इंजीनियरिंग इसे सेमीकंडक्टर उद्योग में एक मूल्यवान संपत्ति बनाती है, जो अगली पीढ़ी के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के उत्पादन का समर्थन करती है।