TaC-लेपित हाफमून

सेमीकोरेक्स TaC-लेपित हाफमून SiC एपीटाक्सी के लिए आवश्यक ऊंचे तापमान (2200°C तक) पर अपनी संरचनात्मक अखंडता और रासायनिक जड़ता बनाए रखता है। यह लगातार थर्मल प्रदर्शन सुनिश्चित करता है और प्रक्रिया गैसों या स्रोत सामग्री के साथ अवांछित प्रतिक्रियाओं को रोकता है। और इसे थर्मल चालकता और उत्सर्जन को अनुकूलित करने के लिए इंजीनियर किया जा सकता है, जो कि रिसेप्टर सतह पर समान गर्मी वितरण को बढ़ावा देता है। इससे अधिक समरूप वेफर तापमान प्रोफाइल और एपिटैक्सियल परत की मोटाई और डोपिंग एकाग्रता में एकरूपता में सुधार होता है। इसके अलावा, TaC-लेपित हाफमून के थर्मल विस्तार गुणांक को SiC से निकटता से मेल खाने के लिए तैयार किया जा सकता है, जिससे हीटिंग और शीतलन चक्र के दौरान थर्मल तनाव कम हो जाता है। इससे वेफ़र का झुकना और दोष बनने का जोखिम कम हो जाता है, जिससे डिवाइस की उच्च पैदावार में योगदान होता है।

TaC-लेपित हाफमून अनकोटेड/SiC-लेपित विकल्पों की तुलना में ग्रेफाइट ससेप्टर्स की सेवा जीवन को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता है। SiC जमाव और थर्मल गिरावट के प्रति बढ़ा हुआ प्रतिरोध सफाई चक्र और प्रतिस्थापन की आवृत्ति को कम करता है, जिससे समग्र विनिर्माण लागत कम हो जाती है।

SiC डिवाइस प्रदर्शन के लिए लाभ:

उन्नत डिवाइस विश्वसनीयता और प्रदर्शन:टीएसी-लेपित हाफमून पर विकसित एपिटैक्सियल परतों में बेहतर एकरूपता और कम दोष घनत्व उच्च डिवाइस पैदावार और ब्रेकडाउन वोल्टेज, ऑन-प्रतिरोध और स्विचिंग गति के मामले में बेहतर प्रदर्शन में अनुवाद करता है।

उच्च मात्रा में विनिर्माण के लिए लागत प्रभावी समाधान:विस्तारित जीवनकाल, कम रखरखाव आवश्यकताओं और बेहतर वेफर गुणवत्ता SiC बिजली उपकरणों के लिए अधिक लागत प्रभावी विनिर्माण प्रक्रिया में योगदान करती है।

सेमीकोरेक्स टीएसी-लेपित हाफमून सामग्री अनुकूलता, थर्मल प्रबंधन और प्रक्रिया संदूषण से संबंधित प्रमुख चुनौतियों का समाधान करके SiC एपिटैक्सी को आगे बढ़ाने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। यह उच्च गुणवत्ता वाले SiC वेफर्स के उत्पादन को सक्षम बनाता है, जिससे इलेक्ट्रिक वाहनों, नवीकरणीय ऊर्जा और अन्य मांग वाले उद्योगों में अनुप्रयोगों के लिए अधिक कुशल और विश्वसनीय बिजली इलेक्ट्रॉनिक उपकरण तैयार होते हैं।