SiC फोकस रिंग

सेमीकोरेक्स SiC फोकस रिंग एक सटीक-इंजीनियर्ड, रिंग आकार का घटक है, जो उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड द्वारा निर्मित होता है। SiC फोकस रिंग उन्नत अर्धचालक प्रसंस्करण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। उच्च शुद्धता वाला सिलिकॉन कार्बाइड थर्मल स्थिरता (उच्च पिघलने बिंदु), यांत्रिक स्थायित्व (उच्च कठोरता), और विद्युत चालन गुणों के मामले में उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करता है, जो कई अगली पीढ़ी की वेफर निर्माण प्रौद्योगिकियों के विनिर्देशों से मेल खाने के लिए महत्वपूर्ण है। SiC फोकस रिंग प्लाज्मा नक़्क़ाशी और जमाव कक्ष घटकों में पाए जाने वाले घटक हैं, और प्लाज्मा वितरण को नियंत्रित करने, वेफर एकरूपता प्राप्त करने और बड़े पैमाने पर उत्पादन में उपज में एक आवश्यक भूमिका निभाते हैं।

SiC फोकस रिंग की सामग्री की शुद्धता और विद्युत प्रदर्शन कुछ सबसे महत्वपूर्ण कारक हैं जो इस घटक को परिभाषित करते हैं और इसे सिरेमिक सामग्री से अलग करते हैं। उच्च शुद्धतासिलिकन कार्बाइडयह पारंपरिक सिरेमिक सामग्रियों से भिन्न है, क्योंकि यह इनका संयोजन प्रदान करता है 

कठोरता के साथ-साथ कई रसायनों के प्रति प्रतिरोध, और अद्वितीय विद्युत गुण। विशेष रूप से, अधिक महत्वपूर्ण बात यह है कि उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड को प्लाज्मा के साथ बातचीत करने के लिए आदर्श अर्ध-संचालन संतुलन के साथ प्रवाहकीय या अपमानजनक प्रदर्शन के सबसे उपयुक्त स्तर का उत्पादन करने के लिए डोपेंट और प्रसंस्करण विधियों का उपयोग करके इंजीनियर किया जा सकता है, जिससे उच्च-ऊर्जा वाले वातावरण में स्थिर प्रदर्शन की अनुमति मिलती है जहां चार्ज निर्माण और विद्युत असंतुलन के कारण प्रक्रिया त्रुटियां होने की अधिक संभावना होती है।

प्लाज्मा के किनारे के प्रभाव के कारण, घनत्व केंद्र में अधिक और किनारों पर कम होता है। फोकस रिंग, अपने कुंडलाकार आकार और CVD SiC के भौतिक गुणों के माध्यम से, एक विशिष्ट विद्युत क्षेत्र उत्पन्न करती है। यह क्षेत्र प्लाज्मा में आवेशित कणों (आयनों और इलेक्ट्रॉनों) को वेफर सतह, विशेषकर किनारे पर निर्देशित और सीमित करता है। यह प्रभावी रूप से किनारे पर प्लाज्मा घनत्व को बढ़ाता है, इसे केंद्र के करीब लाता है। इससे पूरे वेफर में नक़्क़ाशी की एकरूपता में उल्लेखनीय सुधार होता है, किनारे की क्षति कम होती है और उपज बढ़ती है।

मर्करी मैन्युफैक्चरिंग परिष्कृत मशीनिंग और पॉलिशिंग प्रक्रियाओं का उपयोग करके SiC फोकस रिंग को संसाधित करती है जो सख्त आयामी सहनशीलता और एक चिकनी सतह फिनिश प्राप्त करती है। इन घटकों की आयामी सटीकता कई प्लाज्मा ईच और जमाव प्रणालियों में विनिमेयता सुनिश्चित करने के लिए विभिन्न अर्धचालक उपकरण आपूर्तिकर्ताओं के साथ संगतता को सक्षम बनाती है। रिंग की मोटाई, आंतरिक और बाहरी व्यास और सतह चालकता के स्तर सहित विशिष्ट प्रक्रिया आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए कस्टम डिज़ाइन भी विकसित किए जा सकते हैं।

SiC फोकस रिंग के अनुप्रयोग सेमीकंडक्टर निर्माण में एक विस्तृत श्रृंखला को कवर करते हैं: DRAM, NAND फ़्लैश, लॉजिक डिवाइस और नई पावर सेमीकंडक्टर प्रौद्योगिकियाँ। जैसे-जैसे डिवाइस ज्यामिति सिकुड़ती जाती है और प्रक्रिया नोड्स के माध्यम से आगे बढ़ती रहती है, SiC फोकस रिंग जैसे अत्यधिक विश्वसनीय स्थिर कक्ष घटकों की आवश्यकता महत्वपूर्ण हो जाती है। SiC फोकस रिंग प्लाज्मा का सटीक नियंत्रण प्रदान करती है और लगातार वेफर गुणवत्ता में सुधार करती है, जिससे उद्योग की छोटे, तेज और कुशल इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की महत्वाकांक्षाओं को आगे बढ़ाया जाता है। सेमीकोरेक्स SiC फोकस रिंग सामग्री विज्ञान, सटीक इंजीनियरिंग और सेमीकंडक्टर प्रक्रिया विकास के प्रतिच्छेदन बिंदु को परिभाषित करता है। SiC फोकस रिंग में उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, बेहतर रासायनिक प्रतिरोध और विशिष्ट विद्युत चालकता है। ये विशेषताएं इसे प्रक्रियाओं के दौरान विश्वसनीयता और उपज सुनिश्चित करने में एक महत्वपूर्ण घटक बनाती हैं।