SiC एपिटैक्सी

सेमीकोरेक्स सिलिकॉन कार्बाइड उपकरणों के विकास के लिए सब्सट्रेट पर कस्टम पतली फिल्म (सिलिकॉन कार्बाइड) SiC एपिटैक्सी प्रदान करता है।

डोपेंट को शामिल करके या विभिन्न क्रिस्टल ओरिएंटेशन को बढ़ाकर विशिष्ट डिवाइस आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए SiC एपिटैक्सी को तैयार किया जा सकता है। नाइट्रोजन या एल्यूमीनियम जैसी अशुद्धियों के साथ एपिटैक्सियल परत को डोपिंग करने से विद्युत गुणों में संशोधन की अनुमति मिलती है, जैसे वाहक एकाग्रता को नियंत्रित करना या पी-एन जंक्शन बनाना।

SiC एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता का आकलन विभिन्न लक्षण वर्णन तकनीकों के माध्यम से किया जाता है, जिसमें एक्स-रे विवर्तन, स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी, परमाणु बल माइक्रोस्कोपी और विद्युत माप शामिल हैं। ये तकनीकें क्रिस्टल संरचना, सतह आकारिकी और एपिटैक्सियल परत के विद्युत प्रदर्शन का मूल्यांकन करने में मदद करती हैं।

सेमीकोरेक्स पेशकश कर सकता है: SiC एपिटैक्सियल वेफर, GaN एपिटैक्सियल वेफर, Si एपिटैक्सी, SiC वेफर, आदि।