SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल

उच्च तापमान क्रिस्टल विकास भट्टियों के केंद्र में स्थापित,SiC लेपितग्रेफाइट क्रूसिबल संपूर्ण थर्मल फील्ड सिस्टम बनाने के लिए हीटर, थर्मल इंसुलेशन स्लीव्स, फ्लो गाइड ट्यूब और क्रूसिबल शाफ्ट के साथ मिलकर काम करते हैं। यह तापीय क्षेत्र प्रणाली क्रिस्टल विकास के लिए आवश्यक स्थिर उच्च तापमान वाले वातावरण को बनाए रख सकती है।

SiC-लेपित का उत्पादनग्रेफाइट क्रूसिबलआमतौर पर घने को समान रूप से जमा करने के लिए उन्नत रासायनिक वाष्प जमाव तकनीक के उपयोग से शुरू होता हैसिलिकन कार्बाइडगठित ग्रेफाइट सब्सट्रेट की सतह पर कोटिंग। उच्च शुद्धता से बना हैग्रेफाइटसब्सट्रेट और घने सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग, SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल एक सहक्रियात्मक संरचना बनाता है जो ग्रेफाइट की तापीय चालकता को सिलिकॉन कार्बाइड के संक्षारण प्रतिरोध के साथ जोड़ता है।

Czochralski विधि क्रिस्टल विकास के लिए सार्वभौमिक औद्योगिक तकनीक है। यह तकनीक क्रिस्टल उत्पादन के दौरान क्रूसिबल पर केन्द्रापसारक बल लगाएगी। SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल की बेहतर लचीली ताकत और कठोरता उच्च गति रोटेशन के दौरान टूटने या टूटने से रोक सकती है, जिससे क्रूसिबल क्षति के कारण होने वाले उत्पादन में रुकावटों को प्रभावी ढंग से कम किया जा सकता है। इसके अतिरिक्त, इस प्रक्रिया के दौरान क्रूसिबल को थोड़े समय के भीतर भारी तापमान में उतार-चढ़ाव से गुजरना पड़ता है। उनके उल्लेखनीय थर्मल शॉक प्रतिरोध के लिए धन्यवाद, SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल थर्मल तनाव से संबंधित संरचनात्मक क्षति को कम कर सकते हैं, उनके आकार की स्थिरता सुनिश्चित कर सकते हैं, जिससे क्रूसिबल विरूपण के कारण होने वाले क्रिस्टल विकास दोष कम हो सकते हैं।

उच्च तापमान के तहत, SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल सिलिकॉन कार्बाइड की घनी सुरक्षात्मक परत बनाएंगे। यह सुरक्षात्मक परत ग्रेफाइट सब्सट्रेट को सिलिकॉन वाष्प और पिघले हुए सिलिकॉन से अलग कर सकती है, जिससे कोटिंग छीलने से जुड़े ग्रेफाइट सब्सट्रेट जंग और क्रिस्टल संदूषण जोखिम को कम किया जा सकता है। इसलिए, सेमीकोरेक्स के SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल वास्तविक संचालन में विस्तारित अवधि के लिए विभिन्न जटिल उच्च तापमान संक्षारण वातावरण का सामना कर सकते हैं। यह सुसंगत क्रिस्टल संरचना सुनिश्चित करता है और दोष दर को कम करता है, जो दोनों उच्च गुणवत्ता वाले अर्धचालक क्रिस्टल के उत्पादन के लिए आवश्यक हैं।