झरझरा टैंटलम कार्बाइड सिरेमिक

सेमीकोरेक्स पोरस टैंटलम कार्बाइड सिरेमिक 3880 ℃ के आसपास पिघलने बिंदु के साथ एक अति उच्च तापमान सिरेमिक सामग्री है, जो निम्नलिखित उत्कृष्ट प्रदर्शन विशेषताओं के कारण चुनौतीपूर्ण उच्च तापमान और उच्च संक्षारण ऑपरेटिंग वातावरण में स्थिर प्रदर्शन बनाए रख सकता है।

1. शानदार तापीय संपत्ति

सेमीकोरेक्स पोरस का अधिकतम कार्य तापमानटैंटलम कार्बाइड सिरेमिक3200℃ तक हो सकता है, और यह बिना किसी विरूपण या नरमी के लंबे समय तक उच्च तापमान वाले सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल विकास की स्थिति में स्थिर रूप से काम कर सकता है।

2. असाधारण रासायनिक स्थिरता

सेमीकोरेक्स पोरस टैंटलम कार्बाइड सिरेमिक पारंपरिक सिरेमिक की तुलना में बेहतर संक्षारण प्रतिरोध और ऑक्सीकरण प्रतिरोध प्रदर्शित करता है। यह क्रिस्टल विकास प्रक्रिया में उच्च तापमान ऑक्सीजन और सी वाष्प के क्षरण को प्रभावी ढंग से झेल सकता है।

3. विशेष छिद्रपूर्ण संरचना

सेमीकोरेक्स पोरस टैंटलम कार्बाइड सिरेमिक में समान रूप से वितरित आंतरिक छिद्र होते हैं, जिसमें 10-60% (अनुकूलन योग्य) के बीच छिद्र और 98% से अधिक की छिद्र दर होती है। यह विशेष संरचना सी और सी जैसे वाष्प-चरण तत्वों को क्रिस्टल विकास भट्टी के अंदर सुचारू रूप से प्रवाहित और फैलने में सक्षम बनाती है, जिससे उच्च गुणवत्ता वाले क्रिस्टल के विकास में काफी सुविधा होती है।

सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल विकास में अनुप्रयोग

पीवीटी प्रक्रिया के माध्यम से सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल विकास के दौरान, सेमीकोरेक्स पोरस टैंटलम कार्बाइड सिरेमिक मुख्य रूप से वाष्प-चरण तत्व निस्पंदन, भट्ठी तापमान ढाल विनियमन और गैस सामग्री प्रवाह मार्गदर्शन में कार्य करता है। पारंपरिक झरझरा TaC-लेपित ग्रेफाइट सामग्री से अलग, सेमीकोरेक्स झरझरा टैंटलम कार्बाइड सिरेमिक विशिष्ट फायदे दिखाता है: यह झरझरा को खत्म करता हैTaC-लेपित ग्रेफाइटकोटिंग उपचार के कारण होने वाली कम थ्रू-पोर दर की सामग्री की कमी, जबकि सेवा में आने वाली छिद्रपूर्ण TaC-लेपित ग्रेफाइट सामग्री की कोटिंग छीलने के दर्द बिंदु से बचा जाता है। सेमीकोरेक्स पोरस टैंटलम कार्बाइड सिरेमिक का उपयोग करके, आप सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल विकास में कार्बन समावेशन दोषों को प्रभावी ढंग से रोक सकते हैं, जिससे क्रिस्टल विकास की गुणवत्ता और उत्पाद की उपज में काफी सुधार होता है।