अर्धचालक सिलिकॉन एकल क्रिस्टल के थर्मल क्षेत्र में कोटिंग

सेमीकंडक्टर सिलिकॉन सिंगल क्रिस्टल हॉट फील्ड में लेपित भागों को आम तौर पर सीवीडी विधि द्वारा लेपित किया जाता है, जिसमें पायरोलाइटिक कार्बन कोटिंग शामिल है,सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंगऔरटैंटलम कार्बाइड कोटिंग, प्रत्येक अलग-अलग विशेषताओं के साथ।

सामान्य बिंदु: सब्सट्रेट उच्च शुद्धता वाले आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट हैं, आमतौर पर 5 पीपीएम से कम राख; कोटिंग का उपयोग सीवीडी विधि द्वारा किया जाता है; कोटिंग मूल रूप से 100% कार्बन या सिलिकॉन कार्बाइड है; कोटिंग के बाद सतह अपेक्षाकृत घनी होती है, गैस, विशेष रूप से भट्ठी सिलिकॉन वाष्प या सिलिकॉन ऑक्साइड गैस मूल रूप से अवरुद्ध हो सकती है; इसकी अपनी धूल का वाष्पीकरण भी बहुत कम है।

अंतर: कोटिंग की मानक मोटाई, पायरोलाइटिक कार्बन कोटिंग आम तौर पर लगभग 40um होती है; सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग आम तौर पर लगभग 100um में की जाती है, लेकिन ग्राहकों की विभिन्न आवश्यकताओं के अनुसार, 30um~150um में की जा सकती है, जिसमें एक कोटिंग और दो कोटिंग शामिल हैं; टैंटलम कार्बाइड कोटिंग आम तौर पर 35±15um होती है।

पायरोलाइटिक कार्बन कोटिंग, इसका घनत्व गैर-छिद्रित ग्रेफाइट के बराबर है, जो लगभग 2.2 है। इसमें सतह की समानांतर दिशा में कम प्रतिरोधकता और उच्च तापीय चालकता होती है, इसलिए यह सतह के तापमान की स्थिरता बनाए रख सकता है, और इसमें तापीय विस्तार का कम गुणांक और लोच का उच्च मापांक भी होता है। सतह की लंबवत दिशा में, तापीय विस्तार का गुणांक बड़ा होता है और तापीय चालकता कम होती है।

सिलिकॉन कार्बाइड लेपित उत्पादों के लिए, कोटिंग का लोचदार मापांक बहुत अधिक है, आंतरिक ग्रेफाइट सब्सट्रेट के लोचदार मापांक से दसियों गुना अधिक है, इसलिए उत्पाद के टूटने से बचने के लिए, इसे धीरे से संभालने की आवश्यकता है।

पायरोलाइटिक कार्बन कोटिंग और सभी अशुद्धता सामग्री की सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग 5 पीपीएम से कम है, जहां मुख्य धातु तत्व सामग्री 0.1 या 0.01 पीपीएम से कम है, बोरॉन तत्व 0.01 या 0.15 पीपीएम से निपटना अधिक कठिन है।

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