SiC-लेपित ग्रेफाइट सुसेप्टर्स क्या हैं?

वह ट्रे (आधार) जो SiC वेफर्स का समर्थन करती है, जिसे "के रूप में भी जाना जाता है"चालू करनेवाला," सेमीकंडक्टर विनिर्माण उपकरण का एक मुख्य घटक है। और वास्तव में यह रिसेप्टर क्या है जो वेफर्स ले जाता है?

वेफर निर्माण की प्रक्रिया में, डिवाइस निर्माण के लिए सब्सट्रेट्स को एपिटैक्सियल परतों के साथ आगे बनाने की आवश्यकता होती है। विशिष्ट उदाहरणों में शामिल हैंएलईडी उत्सर्जक, जिसके लिए सिलिकॉन सब्सट्रेट्स के शीर्ष पर GaAs एपिटैक्सियल परतों की आवश्यकता होती है; प्रवाहकीय SiC सबस्ट्रेट्स पर, SiC एपिटैक्सियल परतें SBDs और MOSFETs जैसे उपकरणों के लिए विकसित की जाती हैं, जिनका उपयोग उच्च वोल्टेज और उच्च वर्तमान अनुप्रयोगों में किया जाता है; परअर्ध-इन्सुलेटिंग SiC सबस्ट्रेट्स, GaN एपिटैक्सियल परतें HEMTs जैसे उपकरणों के निर्माण के लिए बनाई जाती हैं, जिनका उपयोग संचार जैसे आरएफ अनुप्रयोगों में किया जाता है। यह प्रक्रिया काफी हद तक सीवीडी उपकरण पर निर्भर करती है।

सीवीडी उपकरण में, सब्सट्रेट को सीधे धातु या एपिटैक्सियल जमाव के लिए एक साधारण आधार पर नहीं रखा जा सकता है, क्योंकि इसमें गैस प्रवाह दिशा (क्षैतिज, ऊर्ध्वाधर), तापमान, दबाव, स्थिरता और दूषित पदार्थों को हटाने जैसे विभिन्न प्रभावशाली कारक शामिल होते हैं। इसलिए, सब्सट्रेट पर एपिटैक्सियल परतों को जमा करने के लिए सीवीडी तकनीक का उपयोग करने से पहले एक आधार की आवश्यकता होती है जिस पर सब्सट्रेट रखा जाता है। इस आधार को a के नाम से जाना जाता हैSiC-लेपित ग्रेफाइट रिसीवर(इसे बेस/ट्रे/कैरियर भी कहा जाता है)।

SiC-लेपित ग्रेफाइट रिसेप्टर्स का उपयोग आमतौर पर सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट्स को समर्थन और गर्म करने के लिए मेटलऑर्गेनिक रासायनिक वाष्प जमाव (MOCVD) उपकरण में किया जाता है। SiC-लेपित ग्रेफाइट रिसेप्टर्स की थर्मल स्थिरता और एकरूपता एपिटैक्सियल सामग्री वृद्धि की गुणवत्ता निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है, जिससे वे MOCVD उपकरण के महत्वपूर्ण घटक बन जाते हैं।

एमओसीवीडी तकनीक वर्तमान में नीली एलईडी उत्पादन में GaN पतली फिल्म एपिटैक्सी को बढ़ाने के लिए मुख्यधारा की तकनीक है। यह सरल संचालन, नियंत्रणीय विकास दर और उत्पादित GaN पतली फिल्मों की उच्च शुद्धता जैसे लाभ प्रदान करता है। एमओसीवीडी उपकरण प्रतिक्रिया कक्ष के अंदर एक महत्वपूर्ण घटक के रूप में GaN पतली फिल्म एपिटैक्सियल वृद्धि के लिए उपयोग किए जाने वाले रिसेप्टर्स में उच्च तापमान प्रतिरोध, समान तापीय चालकता, अच्छी रासायनिक स्थिरता और थर्मल शॉक के लिए मजबूत प्रतिरोध की आवश्यकता होती है। ग्रेफाइट सामग्री इन आवश्यकताओं को पूरा कर सकती है।

ग्रेफाइट रिसेप्टर्स एमओसीवीडी उपकरण में मुख्य घटकों में से एक हैं और सब्सट्रेट वेफर्स के लिए वाहक और गर्मी उत्सर्जक के रूप में काम करते हैं, जो सीधे पतली फिल्म सामग्री की एकरूपता और शुद्धता को प्रभावित करते हैं। नतीजतन, उनकी गुणवत्ता सीधे एपी-वेफर्स की तैयारी को प्रभावित करती है। हालांकि, उत्पादन के दौरान, संक्षारक गैसों और अवशिष्ट धातुकार्बनिक यौगिकों की उपस्थिति के कारण ग्रेफाइट संक्षारित और विघटित हो सकता है, जिससे ग्रेफाइट रिसेप्टर्स का जीवनकाल काफी कम हो जाता है। इसके अतिरिक्त, गिरा हुआ ग्रेफाइट पाउडर चिप्स पर संदूषण पैदा कर सकता है।

कोटिंग प्रौद्योगिकी का उद्भव सतह पाउडर निर्धारण, बढ़ी हुई तापीय चालकता और संतुलित ताप वितरण प्रदान करके इस समस्या का समाधान प्रदान करता है। MOCVD उपकरण वातावरण में उपयोग किए जाने वाले ग्रेफाइट रिसेप्टर्स की सतह पर कोटिंग में निम्नलिखित विशेषताएं होनी चाहिए:

1. ग्रेफाइट बेस को अच्छे घनत्व के साथ पूरी तरह से घेरने की क्षमता, क्योंकि ग्रेफाइट रिसेप्टर संक्षारक गैस वातावरण में संक्षारण के लिए अतिसंवेदनशील होता है।

2. ग्रेफाइट ससेप्टर के साथ मजबूत संबंध यह सुनिश्चित करने के लिए कि कोटिंग कई उच्च तापमान और निम्न तापमान चक्रों के बाद आसानी से अलग न हो।

3. उच्च तापमान और संक्षारक वातावरण में कोटिंग को अप्रभावी होने से रोकने के लिए उत्कृष्ट रासायनिक स्थिरता। SiC में संक्षारण प्रतिरोध, उच्च तापीय चालकता, थर्मल शॉक के प्रतिरोध और उच्च रासायनिक स्थिरता जैसे फायदे हैं, जो इसे GaN एपीटैक्सियल वायुमंडल में काम करने के लिए आदर्श बनाते हैं। इसके अलावा, SiC का थर्मल विस्तार गुणांक ग्रेफाइट के बहुत करीब है, जो इसे ग्रेफाइट रिसेप्टर्स की सतह को कोटिंग करने के लिए पसंदीदा सामग्री बनाता है।

सेमीकोरेक्स सीवीडी सीआईसी लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर्स का निर्माण करता है, अनुकूलित सीआईसी भागों का उत्पादन करता है, जैसे वेफर बोट, कैंटिलीवर पैडल, ट्यूब इत्यादि। यदि आपके पास कोई पूछताछ है या अतिरिक्त विवरण की आवश्यकता है, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।

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