सूखी नक़्क़ाशी के दौरान किनारे की दीवारें क्यों झुक जाती हैं?

सूखी नक़्क़ाशी आम तौर पर भौतिक और रासायनिक क्रियाओं के संयोजन की एक प्रक्रिया है, जिसमें आयन बमबारी एक महत्वपूर्ण भौतिक नक़्क़ाशी तकनीक है। नक़्क़ाशी के दौरान, आयनों का आपतित कोण और ऊर्जा वितरण असमान हो सकता है।

यदि आयन घटना कोण साइडवॉल पर अलग-अलग स्थानों पर भिन्न होता है, तो नक़्क़ाशी प्रभाव भी भिन्न होगा। बड़े आयन घटना कोण वाले क्षेत्रों में, साइडवॉल पर आयन नक़्क़ाशी का प्रभाव अधिक मजबूत होता है, जिससे उस क्षेत्र में अधिक साइडवॉल नक़्क़ाशी होती है और साइडवॉल झुकता है। इसके अलावा, असमान आयन ऊर्जा वितरण भी एक समान प्रभाव पैदा करता है; उच्च-ऊर्जा आयन सामग्री को अधिक प्रभावी ढंग से हटाते हैं, जिसके परिणामस्वरूप साइडवॉल पर विभिन्न स्थानों पर असंगत नक़्क़ाशी का स्तर होता है, जिससे साइडवॉल झुक जाता है।

फोटोरेसिस्ट शुष्क नक़्क़ाशी में एक मुखौटा के रूप में कार्य करता है, उन क्षेत्रों की रक्षा करता है जिन्हें नक़्क़ाशी करने की आवश्यकता नहीं होती है। हालाँकि, नक़्क़ाशी के दौरान प्लाज़्मा बमबारी और रासायनिक प्रतिक्रियाओं से फोटोरेसिस्ट भी प्रभावित होता है, और इसके गुण बदल सकते हैं।

असमान फोटोरेसिस्ट मोटाई, नक़्क़ाशी के दौरान असंगत खपत दर, या विभिन्न स्थानों पर फोटोरेसिस्ट और सब्सट्रेट के बीच आसंजन में भिन्नता, ये सभी नक़्क़ाशी के दौरान साइडवॉल की असमान सुरक्षा का कारण बन सकते हैं। उदाहरण के लिए, पतले या कमजोर फोटोरेसिस्ट आसंजन वाले क्षेत्र अंतर्निहित सामग्री को अधिक आसानी से उकेरने की अनुमति दे सकते हैं, जिससे इन स्थानों पर साइडवॉल झुक सकती है।

सब्सट्रेट सामग्री विशेषताएँ अंतर

खोदी जा रही सब्सट्रेट सामग्री विशेषताओं में अंतर प्रदर्शित कर सकती है, जैसे विभिन्न क्षेत्रों में अलग-अलग क्रिस्टल अभिविन्यास और डोपिंग सांद्रता। ये अंतर नक़्क़ाशी दर और चयनात्मकता को प्रभावित करते हैं।

एक उदाहरण के रूप में क्रिस्टलीय सिलिकॉन लेते हुए, सिलिकॉन परमाणुओं की व्यवस्था क्रिस्टल अभिविन्यासों में भिन्न होती है, जिसके परिणामस्वरूप नक़्क़ाशी गैस और नक़्क़ाशी दर के साथ प्रतिक्रियाशीलता में भिन्नता होती है। नक़्क़ाशी के दौरान, भौतिक गुणों में ये अंतर साइडवॉल पर विभिन्न स्थानों पर असंगत नक़्क़ाशी की गहराई का कारण बनता है, जो अंततः साइडवॉल झुकने का कारण बनता है।

उपकरण-संबंधित कारक

नक़्क़ाशी उपकरण का प्रदर्शन और स्थिति भी नक़्क़ाशी परिणामों पर महत्वपूर्ण प्रभाव डालती है। उदाहरण के लिए, प्रतिक्रिया कक्ष के भीतर असमान प्लाज्मा वितरण और असमान इलेक्ट्रोड घिसाव नक़्क़ाशी के दौरान वेफर सतह पर आयन घनत्व और ऊर्जा जैसे मापदंडों के असमान वितरण का कारण बन सकता है।

इसके अलावा, असमान तापमान नियंत्रण और गैस प्रवाह दर में मामूली उतार-चढ़ाव भी नक़्क़ाशी की एकरूपता को प्रभावित कर सकते हैं, जिससे साइडवॉल झुकने में योगदान होता है।

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