एल्यूमीनियम नाइट्राइड सब्सट्रेट

अर्धविराम एल्यूमीनियम नाइट्राइड सब्सट्रेट की परिभाषा सिलिकॉन-आधारित एल्यूमीनियम नाइट्राइड टेम्प्लेट की ओर इशारा करती है। 5 जी के युग के रूप में, उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोग तेजी से गति प्राप्त कर रहे हैं। 5 जी नेटवर्क का विस्तार और विकास उच्च परिचालन आवृत्तियों के साथ -साथ अधिक से अधिक आवृत्ति बैंड के लिए मांगों को धक्का देता है। लहर ने आरएफ फिल्टर की मात्रा और गुणवत्ता दोनों में आनुपातिक रूप से उठाए गए आवश्यकताओं को अपने हिस्से पर रखा है। उच्च-प्रदर्शन आरएफ फ़िल्टर विनिर्माण उद्योग को सक्षम करने के लिए उच्च गुणवत्ता साबित होने वाली पीजोइलेक्ट्रिक सब्सट्रेट सामग्री के लिए एक आवश्यक आवश्यकता है।

अल्ट्रा-वाइड बैंडगैप अर्धचालक एल्यूमीनियम नाइट्राइड सब्सट्रेट कई उत्कृष्ट गुणों के कारण, इलेक्ट्रॉनिक्स और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स में उन्नत उपयोग के लिए एक संभावित सामग्री के रूप में, कई उत्कृष्ट गुणों के कारण अपार अनुप्रयोग क्षमता की एक सामग्री है। 6.2 ईवी तक का बैंडगैप उच्च क्षेत्र के टूटने, उच्च संतृप्ति इलेक्ट्रॉन बहाव वेग, रासायनिक और थर्मल स्थिरता के लिए शक्ति की आवश्यकता को प्रदर्शित करता है। साथ ही बेहतर तापीय चालकता और विकिरण प्रतिरोध। ये विशेषताएं ALN को उच्च-प्रदर्शन वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में एक अपरिहार्य सामग्री बनाती हैं, विशेष रूप से 5G संचार प्रौद्योगिकियों में।

पारंपरिक पीज़ोइलेक्ट्रिक सामग्रियों जैसे कि जिंक ऑक्साइड (ZnO), लीड जिरकोनेट टाइटानेट (PZT), और लिथियम टैंटलेट/लिथियम niobate (LT/LN), एल्यूमीनियम नाइट्राइड सब्सट्रेट असाधारण गुणों को प्रदर्शित करते हैं जो उन्हें 5g rf फ़िल्टर के लिए अत्यधिक उपयुक्त बनाते हैं। इन गुणों में उच्च विद्युत प्रतिरोधकता, उत्कृष्ट तापीय चालकता, बेहतर स्थिरता और एक अल्ट्रा-फास्ट ध्वनिक तरंग प्रसार गति शामिल हैं। विशेष रूप से, ALN का अनुदैर्ध्य तरंग वेग लगभग 11,000 m/s तक पहुंच जाता है, जबकि अनुप्रस्थ तरंग वेग लगभग 6,000 m/s है। ये विशेषताएं उच्च-प्रदर्शन सतह ध्वनिक तरंग (SAW), बल्क ध्वनिक वेव (BAW), और फिल्म बल्क ध्वनिक गुंजयमान (FBAR) RF फिल्टर के लिए सबसे आदर्श पीज़ोइलेक्ट्रिक सामग्रियों में से एक के रूप में ALN की स्थिति में हैं।

एल्यूमीनियम नाइट्राइड सब्सट्रेट मुख्य रूप से 5 जी आरएफ फ्रंट-एंड फिल्टर में पीज़ोइलेक्ट्रिक सामग्री बाजार के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। इस उत्पाद की गुणवत्ता और प्रमुख मापदंडों का सख्ती से परीक्षण किया गया है और आधिकारिक तृतीय-पक्ष संस्थानों और वेफर-स्तरीय प्रसंस्करण मूल्यांकन द्वारा सत्यापित किया गया है। इन आकलन ने पुष्टि की है कि उत्पाद मिलता है और यहां तक ​​कि अंतर्राष्ट्रीय मानकों से अधिक है। इसके अलावा, बड़े पैमाने पर विनिर्माण के लिए आवश्यक तकनीक पहले से ही स्थापित हो चुकी है, जिससे बाजार की मांगों को पूरा करने के लिए स्थिर द्रव्यमान उत्पादन और आपूर्ति सुनिश्चित होती है।

5 जी नेटवर्क की तैनाती आवृत्ति बैंड की बढ़ती संख्या को संभालने के लिए अत्यधिक कुशल और विश्वसनीय आरएफ फिल्टर के उपयोग की आवश्यकता होती है। ALN सब्सट्रेट SAW, BAW और FBAR फिल्टर के निर्माण में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं, जो RF फ्रंट-एंड मॉड्यूल में आवश्यक घटक हैं। ये फ़िल्टर सटीक आवृत्ति चयन, सिग्नल प्रवर्धन और हस्तक्षेप में कमी को सक्षम करते हैं, जो स्मार्टफोन, बेस स्टेशनों और IoT अनुप्रयोगों जैसे 5G संचार उपकरणों में सुचारू और उच्च गति वाले डेटा ट्रांसमिशन को सुनिश्चित करते हैं।

इसके अलावा, एल्यूमीनियम नाइट्राइड सब्सट्रेट अकेले आरएफ फिल्टर तक सीमित नहीं हैं। उनके पास पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, उच्च-आवृत्ति ट्रांजिस्टर, ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक डिवाइस और सैटेलाइट कम्युनिकेशंस में होनहार अनुप्रयोग भी हैं। उच्च वोल्टेज का सामना करने और चरम स्थितियों में संचालित करने की उनकी क्षमता उन्हें अगली पीढ़ी के इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए एक आकर्षक विकल्प बनाती है।