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उद्योग समाचार
SiC सिरेमिक की तैयारी प्रक्रिया
संरचनात्मक सिरेमिक में सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक सबसे व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली सामग्रियों में से एक है। उनके अपेक्षाकृत कम तापीय विस्तार, उच्च विशिष्ट शक्ति, उच्च तापीय चालकता और कठोरता, पहनने के प्रतिरोध और संक्षारण प्रतिरोध के कारण, और सबसे महत्वपूर्ण बात, 1650 डिग्री सेल्सियस तक के तापमान ......
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पहली पीढ़ी, दूसरी पीढ़ी, तीसरी पीढ़ी और चौथी पीढ़ी की अर्धचालक सामग्री क्या हैं?
सेमीकंडक्टर सामग्री कमरे के तापमान पर कंडक्टर और इंसुलेटर के बीच विद्युत चालकता वाली सामग्री होती है, जिसका व्यापक रूप से एकीकृत सर्किट, संचार, ऊर्जा और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स जैसे क्षेत्रों में उपयोग किया जाता है। प्रौद्योगिकी के विकास के साथ, अर्धचालक सामग्री पहली पीढ़ी से चौथी पीढ़ी तक विकसित हुई है......
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फोकस रिंग्स का कार्य क्या है?
सेमीकंडक्टर नक़्क़ाशी प्रक्रियाओं की एकरूपता और स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए फोकस रिंग आवश्यक घटक हैं। विद्युत और थर्मल क्षेत्रों के सटीक नियंत्रण के माध्यम से, फोकस रिंग वेफर सतह पर प्लाज्मा को केंद्रित कर सकते हैं, जिससे वेफर पर सभी स्थानों पर लगातार नक़्क़ाशी परिणाम सुनिश्चित होते हैं।
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SiC सिरेमिक मैकेनिकल सील
सिलिकॉन कार्बाइड में अच्छी रासायनिक स्थिरता होती है और यह विभिन्न अत्यधिक संक्षारक अम्लीय और क्षारीय मीडिया का सामना कर सकता है, जो इसे संक्षारक मीडिया में यांत्रिक सील के लिए उपयुक्त बनाता है। घर्षण जोड़ी सामग्री के लिए संक्षारक घिसाव विफलता का एक प्रमुख रूप है। हॉट-प्रेस्ड सिंटर्ड सिलिकॉन कार्बाइड......
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कण दोष क्या है?
कण दोष अर्धचालक वेफर्स के अंदर या उस पर छोटे कणों के समावेशन को संदर्भित करते हैं। वे अर्धचालक उपकरणों की संरचनात्मक अखंडता को नुकसान पहुंचा सकते हैं और शॉर्ट सर्किट और ओपन सर्किट जैसे विद्युत दोषों का कारण बन सकते हैं। चूंकि कण दोषों के कारण होने वाली ये समस्याएं अर्धचालक उपकरणों की दीर्घकालिक विश......
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ऊर्ध्वाधर भट्टियाँ मुख्य धारा की पसंद क्यों बन गई हैं?
ऊर्ध्वाधर भट्टियां ऊर्ध्वाधर रूप से रखे गए उच्च तापमान वाले ताप उपकरण हैं जो विशेष रूप से अर्धचालक विनिर्माण के ताप उपचार के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। संपूर्ण ऊर्ध्वाधर भट्ठी प्रणाली उच्च तापमान प्रतिरोधी भट्ठी ट्यूब, हीटिंग तत्व, तापमान नियंत्रण प्रणाली, गैस नियंत्रण प्रणाली और वेफर समर्थन संरचना से ......
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