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GaN उद्योग अनुप्रयोग

SiC-आधारित और Si-आधारित GaN के अनुप्रयोग क्षेत्रों को सख्ती से अलग नहीं किया गया है। GaN-ऑन-SiC उपकरणों में, SiC सब्सट्रेट की लागत अपेक्षाकृत अधिक है, और SiC लंबी क्रिस्टल प्रौद्योगिकी की बढ़ती परिपक्वता के साथ, डिवाइस की लागत में और गिरावट आने की उम्मीद है, और इसका उपयोग पावर इलेक्ट्रॉनिक्स के क्षे......

सेमीकंडक्टर ताप तत्वों के बारे में

सेमीकंडक्टर प्रक्रिया में ताप उपचार आवश्यक और महत्वपूर्ण प्रक्रियाओं में से एक है। थर्मल प्रक्रिया एक वेफर को ऑक्सीकरण/प्रसार/एनीलिंग आदि सहित एक विशिष्ट गैस से भरे वातावरण में रखकर थर्मल ऊर्जा लागू करने की प्रक्रिया है।

3C-SiC वेफर का उत्पादन शुरू करें

हाल ही में मापी गई बल्क 3C-SiC की तापीय चालकता, इंच-स्केल बड़े क्रिस्टल के बीच दूसरी सबसे ऊंची है, जो हीरे के ठीक नीचे है। सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एक विस्तृत बैंडगैप सेमीकंडक्टर है जिसका व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है, और यह विभिन्न क्रिस्टलीय रूपों में मौजूद होता है जि......

सेमीकोरेक्स ने 8-इंच SiC एपिटैक्सियल वेफर की घोषणा की

ताइवान की PSMC जापान में 300 मिमी वेफर फैब बनाएगी

ताइवान के पावर सेमीकंडक्टर मैन्युफैक्चरिंग कॉरपोरेशन (पीएसएमसी) ने एसबीआई होल्डिंग्स के सहयोग से जापान में 300 मिमी वेफर फैब बनाने की योजना की घोषणा की है। इस सहयोग का उद्देश्य जापान की घरेलू आईसी (एकीकृत सर्किट) आपूर्ति श्रृंखला को मजबूत करना है, जिसमें एआई एज कंप्यूटिंग और पैकेजिंग प्रौद्योगिकियों......

SiC के लिए CVD क्या है?