घर > समाचार > उद्योग समाचार

नक़्क़ाशी प्रक्रिया पैरामीटर

2024-12-05

एचिंगचिप निर्माण में एक महत्वपूर्ण कदम है, जिसका उपयोग सिलिकॉन वेफर्स पर सूक्ष्म सर्किट संरचनाएं बनाने के लिए किया जाता है। इसमें विशिष्ट डिज़ाइन आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए रासायनिक या भौतिक साधनों के माध्यम से सामग्री परतों को हटाना शामिल है। यह आलेख कई प्रमुख नक़्क़ाशी मापदंडों का परिचय देगा, जिनमें अपूर्ण नक़्क़ाशी, अति-नक़्क़ाशी, नक़्क़ाशी दर, अंडरकटिंग, चयनात्मकता, एकरूपता, पहलू अनुपात और आइसोट्रोपिक/एनिसोट्रोपिक नक़्क़ाशी शामिल हैं।


अधूरा क्या हैएचिंग?


अपूर्ण नक़्क़ाशी तब होती है जब नक़्क़ाशी प्रक्रिया के दौरान निर्दिष्ट क्षेत्र में सामग्री को पूरी तरह से हटाया नहीं जाता है, जिससे पैटर्न वाले छिद्रों या सतहों पर अवशिष्ट परतें रह जाती हैं। यह स्थिति विभिन्न कारकों से उत्पन्न हो सकती है, जैसे अपर्याप्त नक़्क़ाशी समय या असमान फिल्म मोटाई।


ऊपर-एचिंग


सभी आवश्यक सामग्री को पूरी तरह से हटाने और सतह परत की मोटाई में भिन्नता को ध्यान में रखने के लिए, एक निश्चित मात्रा में ओवर-ईचिंग को आम तौर पर डिज़ाइन में शामिल किया जाता है। इसका मतलब है कि वास्तविक नक़्क़ाशी की गहराई लक्ष्य मान से अधिक है। बाद की प्रक्रियाओं के सफल निष्पादन के लिए उचित ओवर-ईचिंग आवश्यक है।


खोदनादर


नक़्क़ाशी दर प्रति इकाई समय में निकाली गई सामग्री की मोटाई को संदर्भित करती है और नक़्क़ाशी दक्षता का एक महत्वपूर्ण संकेतक है। एक सामान्य घटना लोडिंग प्रभाव है, जहां अपर्याप्त प्रतिक्रियाशील प्लाज्मा के कारण ईच दर कम हो जाती है या ईच वितरण असमान हो जाता है। दबाव और शक्ति जैसी प्रक्रिया स्थितियों को समायोजित करके इसे बेहतर बनाया जा सकता है।



कीमतें गिरा


अंडरकटिंग तब होती है जबएचिंगन केवल लक्ष्य क्षेत्र में होता है बल्कि फोटोरेसिस्ट के किनारों के साथ नीचे की ओर भी फैलता है। यह घटना साइडवॉल को झुकाने का कारण बन सकती है, जिससे डिवाइस की आयामी सटीकता प्रभावित हो सकती है। गैस प्रवाह और नक़्क़ाशी समय को नियंत्रित करने से अंडरकटिंग की घटना को कम करने में मदद मिलती है।



चयनात्मकता


चयनात्मकता का अनुपात हैखोदनासमान परिस्थितियों में दो अलग-अलग सामग्रियों के बीच दरें। एक उच्च चयनात्मकता अधिक सटीक नियंत्रण सक्षम करती है कि कौन से हिस्से उकेरे गए हैं और कौन से बनाए रखे गए हैं, जो जटिल बहुपरत संरचनाएं बनाने के लिए महत्वपूर्ण है।



वर्दी


एकरूपता पूरे वेफर में या बैचों के बीच नक़्क़ाशी प्रभाव की स्थिरता को मापती है। अच्छी एकरूपता यह सुनिश्चित करती है कि प्रत्येक चिप में समान विद्युत विशेषताएँ हों।



आस्पेक्ट अनुपात


पहलू अनुपात को फीचर की ऊंचाई से चौड़ाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। जैसे-जैसे प्रौद्योगिकी विकसित हो रही है, उपकरणों को अधिक कॉम्पैक्ट और कुशल बनाने के लिए उच्च पहलू अनुपात की मांग बढ़ रही है। हालाँकि, यह चुनौतियों को प्रस्तुत करता हैएचिंग, क्योंकि इसमें तल पर अत्यधिक कटाव से बचते हुए ऊर्ध्वाधरता बनाए रखने की आवश्यकता होती है।


आइसोट्रोपिक और अनिसोट्रोपिक कैसे होते हैं?एचिंगअलग होना?


समदैशिकएचिंगयह सभी दिशाओं में समान रूप से होता है और कुछ विशिष्ट अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है। इसके विपरीत, अनिसोट्रोपिक नक़्क़ाशी मुख्य रूप से ऊर्ध्वाधर दिशा में आगे बढ़ती है, जो इसे सटीक त्रि-आयामी संरचनाएं बनाने के लिए आदर्श बनाती है। आधुनिक एकीकृत सर्किट विनिर्माण अक्सर बेहतर आकार नियंत्रण के लिए बाद वाले का पक्ष लेता है।




सेमीकोरेक्स सेमीकंडक्टर के लिए उच्च गुणवत्ता वाले SiC/TaC समाधान प्रदान करता हैआईसीपी/पीएसएस नक़्क़ाशी और प्लाज्मा नक़्क़ाशीप्रक्रिया. यदि आपके पास कोई पूछताछ है या अतिरिक्त विवरण की आवश्यकता है, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।



संपर्क फ़ोन # +86-13567891907

ईमेल: sales@samicorex.com







X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept